[实用新型]一种改善恢复软度特性的二极管有效
| 申请号： | 201220197253.9 | 申请日： | 2012-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN202549847U | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 王明辉;贾文庆;王平 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 恢复 特性 二极管 | ||
1.一种改善恢复软度特性的二极管，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底为第一类型；
第一本征外延层，位于所述半导体衬底上；
高掺杂浓度外延层，位于所述第一本征外延层上；
第二本征外延层，位于所述高掺杂浓度外延层上；
低掺杂浓度外延层，位于所述第二本征外延层上；
第二类型掺杂区，形成于所述低掺杂浓度外延层上；以及
第二类型重掺杂区，形成于所述第二类型掺杂区。
2.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管，其特征在于，所述第一本征外延层的厚度为2μm～5μm。
3.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管，其特征在于，所述高掺杂浓度外延层的厚度为2μm～20μm，所述高掺杂浓度外延层的电阻率为1Ω·cm～10Ω·cm，所述掺杂浓度为4.85E15cm-3～4.41E14cm-3，所述高掺杂浓度外延层为第一类型。
4.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管，其特征在于，所述第二本征外延层的厚度为1μm～3μm。
5.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管，其特征在于，所述低掺杂浓度外延层的厚度为20μm～150μm，所述低掺杂浓度外延层的电阻率为10Ω·cm～80Ω·cm，所述低掺杂浓度外延层的掺杂浓度4.41E14cm-3～5.41E13cm-3，所述高掺杂浓度外延层为第一类型。
6.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管，其特征在于，第二类型掺杂区的结深为5μm～15μm。
7.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管，其特征在于，第二类型重掺杂区的结深为1μm～3μm。
8.如权利要求1至7中任意一项所述的改善恢复软度特性的二极管，其特征在于，所述第一类型为N型，所述第二类型为P型。
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