[实用新型]一种改善恢复软度特性的二极管有效

专利信息
申请号: 201220197253.9 申请日: 2012-05-03
公开(公告)号: CN202549847U 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 王明辉;贾文庆;王平 申请(专利权)人: 杭州士兰集成电路有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/861
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 310018 浙江省杭州市浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 改善 恢复 特性 二极管
【权利要求书】:

1.一种改善恢复软度特性的二极管,包括:

半导体衬底,所述半导体衬底为第一类型;

第一本征外延层,位于所述半导体衬底上;

高掺杂浓度外延层,位于所述第一本征外延层上;

第二本征外延层,位于所述高掺杂浓度外延层上;

低掺杂浓度外延层,位于所述第二本征外延层上;

第二类型掺杂区,形成于所述低掺杂浓度外延层上;以及

第二类型重掺杂区,形成于所述第二类型掺杂区。

2.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管,其特征在于,所述第一本征外延层的厚度为2μm~5μm。

3.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管,其特征在于,所述高掺杂浓度外延层的厚度为2μm~20μm,所述高掺杂浓度外延层的电阻率为1Ω·cm~10Ω·cm,所述掺杂浓度为4.85E15cm-3~4.41E14cm-3,所述高掺杂浓度外延层为第一类型。

4.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管,其特征在于,所述第二本征外延层的厚度为1μm~3μm。

5.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管,其特征在于,所述低掺杂浓度外延层的厚度为20μm~150μm,所述低掺杂浓度外延层的电阻率为10Ω·cm~80Ω·cm,所述低掺杂浓度外延层的掺杂浓度4.41E14cm-3~5.41E13cm-3,所述高掺杂浓度外延层为第一类型。

6.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管,其特征在于,第二类型掺杂区的结深为5μm~15μm。

7.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管,其特征在于,第二类型重掺杂区的结深为1μm~3μm。

8.如权利要求1至7中任意一项所述的改善恢复软度特性的二极管,其特征在于,所述第一类型为N型,所述第二类型为P型。

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