[实用新型]一种改善恢复软度特性的二极管有效
申请号: | 201220197253.9 | 申请日: | 2012-05-03 |
公开(公告)号: | CN202549847U | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 王明辉;贾文庆;王平 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/861 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 310018 浙江省杭州市浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改善 恢复 特性 二极管 | ||
1.一种改善恢复软度特性的二极管,包括:
半导体衬底,所述半导体衬底为第一类型;
第一本征外延层,位于所述半导体衬底上;
高掺杂浓度外延层,位于所述第一本征外延层上;
第二本征外延层,位于所述高掺杂浓度外延层上;
低掺杂浓度外延层,位于所述第二本征外延层上;
第二类型掺杂区,形成于所述低掺杂浓度外延层上;以及
第二类型重掺杂区,形成于所述第二类型掺杂区。
2.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管,其特征在于,所述第一本征外延层的厚度为2μm~5μm。
3.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管,其特征在于,所述高掺杂浓度外延层的厚度为2μm~20μm,所述高掺杂浓度外延层的电阻率为1Ω·cm~10Ω·cm,所述掺杂浓度为4.85E15cm-3~4.41E14cm-3,所述高掺杂浓度外延层为第一类型。
4.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管,其特征在于,所述第二本征外延层的厚度为1μm~3μm。
5.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管,其特征在于,所述低掺杂浓度外延层的厚度为20μm~150μm,所述低掺杂浓度外延层的电阻率为10Ω·cm~80Ω·cm,所述低掺杂浓度外延层的掺杂浓度4.41E14cm-3~5.41E13cm-3,所述高掺杂浓度外延层为第一类型。
6.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管,其特征在于,第二类型掺杂区的结深为5μm~15μm。
7.如权利要求1所述的改善恢复软度特性的二极管,其特征在于,第二类型重掺杂区的结深为1μm~3μm。
8.如权利要求1至7中任意一项所述的改善恢复软度特性的二极管,其特征在于,所述第一类型为N型,所述第二类型为P型。
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