[实用新型]缺陷检测装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路制造工艺检测领域，尤其涉及一种缺陷检测装置。

背景技术

集成电路制造工艺利用批量处理技术，在同一晶圆表面上形成大量各种类型的复杂器件，并将其互相连接以形成具有完整的电子功能的器件。随着集成电路制造工艺的不断发展，任意一步制程中所产生的缺陷都会对器件产生影响。因此，在制造工艺中常需要对多步制程进行缺陷检测及分析，找出缺陷发生的原因，并加以排除。然而，随着超大规模集成电路（ULSI，Ultra Large Scale Integration）的迅速发展，芯片的集成度越来越高，器件的尺寸越来越小，相应地，在制造工艺中产生的足以影响器件成品率的缺陷的尺寸亦越来越小，因而对半导体器件的缺陷检测提出了更高的要求。

现有的缺陷检测方法是利用缺陷检测设备，以扫描的方法检测整个待检测物，例如晶圆、掩膜板上的所有缺陷。然而，缺陷检测设备检测镜头在扫描过程中，较大颗粒（如大于10μm的颗粒）易引起检测镜头散焦的情况发生，造成检测成像不清晰。

为解决上述问题，一种方法是先将检测镜头从缺陷检测设备上卸载，利用其他设备去除待检测物上的较大颗粒后，再重新安装检测镜头继续检测，然而此方法需要耗费大量工时，降低工作效率。另一种方法是在进行缺陷检测扫描前，利用其他设备对待检测物表面进行预检测，如发现较大颗粒，则利用气体喷除，但是此种方法仅仅能看到大于20μm的颗粒，对于10μm~20μm的颗粒依然难以有效清除。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种能够有效清除待检测物上较大颗粒，以提高检测成像清晰度，进而提高检测准确性的缺陷检测装置。

为解决上述问题，本实用新型提供一种缺陷检测装置，包括，用于放置待检测物的待检测平台；检测镜头，所述检测镜头位于所述待检测平台上；光学控制面板，所述光学控制面板与所述检测镜头相连；喷气枪，所述喷气枪平行设置于所述检测镜头旁，并朝向所述待检测平台；气体供应源，与所述喷气枪连通。

进一步的，所述缺陷检测装置还包括气体供应源，所述气体供应源与所述喷气枪连通。

进一步的，所述气体供应源中的气体为氮气或氦气。

进一步的，所述喷气枪的数量为两个，分别位于临近所述检测镜头的相对两侧。

进一步的，所述喷气枪的长度为100mm~200mm。

进一步的，所述喷气枪喷出的气体压力为30PSI~50PSI。

进一步的，所述喷气枪的出气口处的高度与所述检测镜头的底端的高度平齐。

进一步的，所述喷气枪的出气口到所述待检测物表面的距离大于1mm。

进一步的，所述待检测物为晶圆或掩膜板。

相比于现有技术，本实用新型所述缺陷检测装置，通过在所述检测镜头旁设置喷气枪，以在缺陷检测的过程中，检测镜头扫描待检测物的同时，利用喷气枪喷出的气体去除较大的杂质颗粒，从而避免检测镜头成像散焦的问题，进而提高了缺陷检测的清晰度和准确度。

附图说明

图1为本实用新型一实施例中缺陷检测装置的简要结构示意图。

图2为本发明一实施例中缺陷检测装置的检测扫描路线示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本实用新型的内容作进一步说明。当然本实用新型并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本实用新型的保护范围内。

其次，本实用新型利用示意图进行了详细的表述，在详述本实用新型实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应以此作为对本实用新型的限定。

图1为本实用新型一实施例中缺陷检测装置的简要结构示意图。如图1所示，本实用新型提供一种缺陷检测装置，包括：待检测平台100、检测镜头102、光学控制面板104以及喷气枪106；其中，所述待检测平台100用于放置待检测物200，所述检测镜头102设置于所述待检测平台100上，所述光学控制面板104与所述检测镜头102相连，所述喷气枪106平行设置于所述检测镜头102旁，并朝向所述待检测平台100。

此外，所述缺陷检测装置还包括气体供应源108，所述气体供应源108与所述喷气枪106连通，所述气体供应源108用于为喷气枪106供应气体，所述气体供应源108供应的气体可以为氮气，还可以为氦气、氩气等惰性气体，上述供应的气体来源广泛、成本低且不会对待检测物200产生不良影响。