[实用新型]高温CVD生长室用高度微调节装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及高温CVD设备制造领域技术，尤其是指一种高温CVD生长室用高度微调节装置。

背景技术

第三代半导体材料碳化硅（SiC）因其具有的宽禁带、高热导率、高击穿场强、高电子漂移速率等优点，在高温、大功率器件领域有着巨大的应用潜力与市场。而高质量的碳化硅外延材料是制备碳化硅功率器件的前提条件。目前制备碳化硅外延材料主要方法是高温化学气相沉积(CVD)技术。所谓化学气相沉积技术，就是利用载气将反应气体如硅烷、丙烷等运输到外延生长室内，使它们在热衬底上发生化学反应并沉积得到碳化硅（SiC）外延材料。

由于该技术要求较高的反应生长温度（1500—1600℃），通常需要采用射频加热的方法对生长室进行加温。而在生长过程中，生长室内部的温度的高低和温场的均匀性等因素对外延效果的好坏有着极大的影响，这些因素又与加热线圈的位置和高度有着密切的关系，加热线圈所在高度的微小变化即会对生长室内部的温场产生显著的影响。

因此，如何设计一种能够支撑加热线圈的高温CVD生长室用高度微调节装置，使其能够精确控制加热线圈的高度变化并使整个加热线圈的高度保持一致，已成为一个极具研究价值的课题。 

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种高温CVD生长室用高度微调节装置，其结构简单、操作方便、能够实现精确细微的高度调节。

为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：

一种高温CVD生长室用高度微调节装置，包括有耐高温支撑柱、生长室底盘、高度调节盘、高度调节螺钉及锁固螺钉，其中，该耐高温支撑柱相对高度调节盘固定式设置于高度调节盘上，该高度调节盘位于生长室底盘上方；

该高度调节盘上开设有螺纹通孔、无螺纹通孔，并于生长室底盘上对应前述无螺纹通孔位置开设有螺纹孔；该高度调节螺钉螺合于高度调节盘的螺纹通孔内，并该高度调节螺钉的底端抵于生长室底盘上；该锁固螺钉穿过高度调节盘的无螺纹通孔并螺合于生长室底盘的螺纹孔内。

作为一种优选方案，所述高度调节盘上的无螺纹通孔为两个，相应地，前述生长室底盘上的螺纹孔亦为两个，前述锁固螺钉亦为两个；该锁固螺钉分别穿过相应的无螺纹通孔并螺合于相应的螺纹孔内。

作为一种优选方案，所述高度调节盘上的螺纹通孔为两个，前述高度调节螺钉亦为两个，该高度调节螺钉分别螺合于相应的螺纹通孔内。

作为一种优选方案，所述高度调节盘上的螺纹通孔及无螺纹通孔所在位置呈四边形结构布置，并两螺纹通孔位于四边形的同一对角线上，两无螺纹通孔位于四边形的另一对角线上。

作为一种优选方案，所述高度调节盘为方形结构，其上的螺纹通孔及无螺纹通孔所在位置亦呈方形结构布置。

作为一种优选方案，所述高度调节螺钉系无帽螺钉。

本实用新型采用上述技术方案后，其有益效果在于：

一、通过生长室底盘、高度调节盘、高度调节螺钉及锁固螺钉的配合，以对耐高温支撑柱的精确细微的高度调节，从而，实现了对耐高温支撑柱所支撑的加热线圈进行精确细微的高度调节，达到加热线圈高效率、均匀加热生长室的目的；该种高温CVD生长室用高度微调节装置具有结构简单、操作方便、调节精确细微等优点；

二、前述高度调节盘上的螺纹通孔及无螺纹通孔所在位置呈四边形结构布置，并两螺纹通孔位于四边形的同一对角线上，两无螺纹通孔位于四边形的另一对角线上，即两高度调节螺钉位于一对角线上，两锁固螺钉位于另一对角线上，如此，确保了高度调节盘及耐高温支撑柱的不会出现倾斜偏移等现象，从而，确保了整个加热线圈的高度保持一致、不会倾斜。

为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。

附图说明

图1是本实用新型之实施例的立体结构示意图；

图2是本实用新型之实施例的分解结构示意图；

图3是图1中M-M处的截面示意图（状态一）；

图4是图1中M-M处的截面示意图（状态二）。

附图标识说明：

10、生长室底盘             11、螺纹孔

20、高度调节盘             21、螺纹通孔

22、无螺纹通孔             30、高度调节螺钉

40、锁固螺钉               50、耐高温支撑柱。

具体实施方式