[实用新型]多基岛埋入型单圈多芯片正装倒装封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种多基岛埋入型单圈多芯片正装倒装封装结构。属于半导体封装技术领域。

背景技术

传统的高密度基板封装结构的制造工艺流程如下所示：

步骤一、参见图3，取一玻璃纤维材料制成的基板，

步骤二、参见图4，在玻璃纤维基板上所需的位置上开孔，

步骤三、参见图5，在玻璃纤维基板的背面披覆一层铜箔，

步骤四、参见图6，在玻璃纤维基板打孔的位置填入导电物质，

步骤五、参见图7，在玻璃纤维基板的正面披覆一层铜箔，

步骤六、参见图8，在玻璃纤维基板表面披覆光阻膜，

步骤七、参见图9，将光阻膜在需要的位置进行曝光显影开窗，

步骤八、参见图10，将完成开窗的部分进行蚀刻，

步骤九、参见图11，将基板表面的光阻膜剥除，

步骤十、参见图12，在铜箔线路层的表面进行防焊漆（俗称绿漆）的披覆，

步骤十一、参见图13，在防焊漆需要进行后工序的装片以及打线键合的区域进行开窗，

步骤十二、参见图14，在步骤十一进行开窗的区域进行电镀，相对形成基岛和引脚，

步骤十三、完成后续的装片、打线、包封、切割等相关工序。

上述传统高密度基板封装结构存在以下不足和缺陷：

1、多了一层的玻璃纤维材料，同样的也多了一层玻璃纤维的成本；

2、因为必须要用到玻璃纤维，所以就多了一层玻璃纤维厚度约100~150μm的厚度空间；

3、玻璃纤维本身就是一种发泡物质，所以容易因为放置的时间与环境吸入水分以及湿气，直接影响到可靠性的安全能力或是可靠性等级；

4、玻璃纤维表面被覆了一层约50~100μm的铜箔金属层厚度，而金属层线路与线路的蚀刻距离也因为蚀刻因子的特性只能做到50~100μm的蚀刻间隙（蝕刻因子: 最好製做的能力是蚀刻间隙约等同于被蚀刻物体的厚度,参见图15），所以无法真正的做到高密度线路的设计与制造；

5、因为必须要使用到铜箔金属层，而铜箔金属层是采用高压粘贴的方式，所以铜箔的厚度很难低于50μm的厚度，否则就很难操作如不平整或是铜箔破损或是铜箔延展移位等等；

6、也因为整个基板材料是采用玻璃纤维材料，所以明显的增加了玻璃纤维层的厚度100~150μm，无法真正的做到超薄的封装；

7、传统玻璃纤维加贴铜箔的工艺技术因为材质特性差异很大（膨胀系数），在恶劣环境的工序中容易造成应力变形，直接的影响到元件装载的精度以及元件与基板粘着性与可靠性。

发明内容

本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种多基岛埋入型单圈多芯片正装倒装封装结构，其工艺简单，不需使用玻璃纤维层，减少了制作成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了玻璃纤维材料带来的环境污染，而且金属基板线路层采用的是电镀方法，能够真正做到高密度线路的设计和制造。

本实用新型的目的是这样实现的：一种多基岛埋入型单圈多芯片正装倒装封装结构，它包括基岛、引脚、第一芯片和第二芯片，所述基岛有多个，所述第一芯片通过导电或不导电粘结物质设置于多个基岛和引脚正面，所述第二芯片倒装于第一芯片上，所述第二芯片底部与第一芯片正面之间设置有底部填充胶，所述第一芯片正面与引脚正面之间用金属线相连接，所述基岛外围的区域、基岛和引脚之间的区域、引脚与引脚之间的区域、基岛和引脚上部的区域、基岛和引脚下部的区域以及第一芯片、第二芯片和金属线外均包封有塑封料，所述引脚背面的塑封料上开设有小孔，所述小孔与引脚背面相连通，所述小孔内设置有金属球，所述金属球与引脚背面相接触。

在所述引脚背面与金属球之间还设置有金属保护层。

所述基岛包括基岛上部、基岛下部和中间阻挡层，所述基岛上部和基岛下部均由单层或多层金属电镀而成，所述中间阻挡层为镍层或钛层或铜层。

所述引脚包括引脚上部、引脚下部和中间阻挡层，所述引脚上部和引脚下部均由单层或多层金属电镀而成，所述中间阻挡层为镍层或钛层或铜层。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

1、本实用新型不需要使用玻璃纤维层，所以可以减少玻璃纤维层所带来的成本；

2、本实用新型没有使用玻璃纤维层的发泡物质，所以可靠性的等级可以再提高，相对对封装体的安全性就会提高；

3、本实用新型不需要使用玻璃纤维层物质，所以就可以减少玻璃纤维材料所带来的环境污染；