[实用新型]单基岛埋入型多圈多芯片倒装正装无源器件封装结构有效

专利信息
申请号: 201220204386.4 申请日: 2012-05-09
公开(公告)号: CN202564226U 公开(公告)日: 2012-11-28
发明(设计)人: 王新潮;李维平;梁志忠 申请(专利权)人: 江苏长电科技股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/495
代理公司: 江阴市同盛专利事务所 32210 代理人: 唐纫兰
地址: 214434 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 单基岛 埋入 型多圈多 芯片 倒装 无源 器件 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种单基岛埋入型多圈多芯片倒装正装无源器件封装结构,其特征在于它包括基岛(1)、引脚(2)、第一芯片(4)和第二芯片(6),所述第一芯片(4)倒装于基岛(1)正面和引脚(2)正面,所述第一芯片(4)底部与基岛(1)和引脚(2)正面之间设置有底部填充胶(3),所述第二芯片(6)通过导电或不导电粘结物质(5)设置于第一芯片(4)上,所述第二芯片(6)正面与引脚(2)正面之间用金属线(7)相连接,所述基岛(1)外围的区域、基岛(1)和引脚(2)之间的区域、引脚(2)与引脚(2)之间的区域、基岛(1)和引脚(2)上部的区域、基岛(1)和引脚(2)下部的区域以及第一芯片(4)、第二芯片(6)和金属线(7)外均包封有塑封料(8),所述引脚(2)背面的塑封料(8)上开设有小孔(9),所述小孔(9)与引脚(2)背面相连通,所述小孔(9)内设置有金属球(11),所述金属球(11)与引脚(2)背面相接触,所述引脚(2)与引脚(2)之间跨接有无源器件(12),所述无源器件(12)跨接于引脚(2)正面与引脚(2)正面之间或跨接于引脚(2)背面与引脚(2)背面之间,所述引脚(2)有多圈。

2.根据权利要求1所述的一种单基岛埋入型多圈多芯片倒装正装无源器件封装结构,其特征在于在所述引脚(2)背面与金属球(11)之间还设置有金属保护层(10)。

3.根据权利要求1或2所述的一种单基岛埋入型多圈多芯片倒装正装无源器件封装结构,其特征在于所述基岛(1)包括基岛上部、基岛下部和中间阻挡层,所述基岛上部和基岛下部均由单层或多层金属电镀而成,所述中间阻挡层为镍层或钛层或铜层。

4.根据权利要求1或2所述的一种单基岛埋入型多圈多芯片倒装正装无源器件封装结构,其特征在于所述引脚(2)包括引脚上部、引脚下部和中间阻挡层,所述引脚上部和引脚下部均由单层或多层金属电镀而成,所述中间阻挡层为镍层或钛层或铜层。

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