[实用新型]单基岛埋入型多圈单芯片倒装无源器件封装结构有效
| 申请号： | 201220204400.0 | 申请日： | 2012-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN202564313U | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 王新潮;李维平;梁志忠 | 申请（专利权）人： | 江苏长电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人： | 唐纫兰 |
| 地址： | 214434 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单基岛 埋入 型多圈单 芯片 倒装 无源 器件 封装 结构 | ||
1.一种单基岛埋入型多圈单芯片倒装无源器件封装结构，其特征在于它包括基岛（1）、引脚（2）和芯片（3），所述芯片（3）倒装于基岛（1）正面和引脚（2）正面，所述芯片（3）底部与基岛（1）和引脚（2）正面之间设置有底部填充胶（9），所述基岛（1）外围的区域、基岛（1）和引脚（2）之间的区域、引脚（2）与引脚（2）之间的区域、基岛（1）和引脚（2）上部的区域、基岛（1）和引脚（2）下部的区域以及芯片（3）的外围均包封有塑封料（4），所述引脚（2）背面的塑封料（4）上开设有小孔（5），所述小孔（5）与引脚（2）背面相连通，所述小孔（5）内设置有金属球（7），所述金属球（7）与引脚（2）背面相接触, 所述引脚（2）与引脚（2）之间跨接有无源器件（8），所述无源器件（8）跨接于引脚（2）正面与引脚（2）正面之间或跨接于引脚（2）背面与引脚（2）背面之间，所述引脚（2）有多圈。
2.根据权利要求1所述的一种单基岛埋入型多圈单芯片倒装无源器件封装结构，其特征在于：在所述金属球（7）与引脚（2）背面之间设置有金属保护层（6）。
3.根据权利要求1或2所述的一种单基岛埋入型多圈单芯片倒装无源器件封装结构，其特征在于：所述基岛（1）包括基岛上部、基岛下部和中间阻挡层，所述基岛上部和基岛下部均由单层或多层金属电镀而成，所述中间阻挡层为镍层或钛层或铜层。
4.根据权利要求1或2所述的一种单基岛埋入型多圈单芯片倒装无源器件封装结构，其特征在于：所述引脚（2）包括引脚上部、引脚下部和中间阻挡层，所述引脚上部和引脚下部均由单层或多层金属电镀而成，所述中间阻挡层为镍层或钛层或铜层。
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