[实用新型]太阳能8寸单晶硅棒生长速度调节装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及单晶硅制备设备技术领域，尤其是涉及一种太阳能8寸单晶硅棒生长速度调节装置。

背景技术

太阳能8寸单晶硅棒生长多在热场坩埚内进行。其中，单晶硅生长速度的即时控制极为重要。为此，热场坩埚的口部多通有氩气，该氩气能够促使晶液表面的洁净，并冷却其温度，从而形成适当的温度梯度，进而较好的调节单晶硅棒的生长速度。但是，氩气流的走向较为分散，使其对单晶硅棒拉晶的调节能力无法充分体现。因此有必要予以改进。

实用新型内容

针对上述现有技术存在的不足，本实用新型的目的是提供一种太阳能8寸单晶硅棒生长速度调节装置，它具有能够调节氩气流的走向，从而能够较好的调节热场坩埚中的单晶硅棒的拉晶质量的特点。

为了实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：太阳能8寸单晶硅棒生长速度调节装置，安装于热场坩埚上，所述热场坩埚的开口上部设有热屏。

所述热屏为碳碳复合材料热屏。

所述热场坩埚的外部包设有碳毡。

采用上述结构后，本实用新型和现有技术相比所具有的优点是：1、能够调节氩气流的走向，从而能够较好的调节热场坩埚中的单晶硅棒的拉晶质量。本实用新型的太阳能8寸单晶硅棒生长速度调节装置通过在热场坩埚的口部设置热屏，使氩气流能够沿热屏的表面进行流动，从而氩气和晶液表面进行了充分接触，较好的调节了拉晶质量。优化后，热屏采用碳碳材料热屏(CFC)。碳碳材料具有高比强度、高比模量、耐高温、耐烧蚀、膨胀系数小、耐急冷急热而不变形不开裂等优良性能，增加了热屏的使用炉次。同时使用碳碳材料热屏增加热辐射，降低了向晶棒散热，可以增加径向温度梯度，从而提高拉速。2、成品晶棒结构均匀，杂质较少。继续优化后，热场坩埚的外部设有碳毡，使坩埚的保温性更好，有利于降低晶体内的热应力和获得均匀的溶质分凝。同时可以将硅熔体表面蒸发出的SiO更快带走，减少了SiO在坩埚内壁面和热屏外壁面的沉积。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明：

图1是本实用新型的实施例的主视剖视结构示意图。

图中：10、热场坩埚；20、热屏；30、碳毡。

具体实施方式

以下所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不因此而限定本实用新型的保护范围。

实施例，见图1所示：太阳能8寸单晶硅棒生长速度调节装置，安装于热场坩埚10上。具体的，热场坩埚10的开口上部设有热屏20。所谓热屏20，指的是热场坩埚10的开口部形成有屏障物，该屏障物能够阻止氩气迅速散开，并对氩气流的路线进行引导。热屏20可以采取石墨材料制备。但是石墨材料热屏虽然材料易得，但是具有如下缺陷：1、急冷急热而容易变形开裂，可能会导致拉晶过程中闷炉；2、石墨材料耐高温系数低使用寿命短，造价高；3、石墨材料热屏导热系数大，拉晶过程中径向温度梯度小，导致提拉速困难。故而，优化的，热屏20采取碳碳复合材料热屏。由于碳碳材料具有高比强度、高比模量、耐高温、耐烧蚀、膨胀系数小、耐急冷急热而不变形不开裂等优良性能，故而能够极大程度的发挥热屏20的作用。进一步，热场坩埚10的外部包设有碳毡30，碳毡30可以采取西格里碳毡。