[实用新型]适用于大功率GaN基LED芯片的网络状电极有效
申请号: | 201220206923.9 | 申请日: | 2012-05-10 |
公开(公告)号: | CN202712250U | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 杨旅云;张国龙;曹凤凯;刘献伟;张宇欣;赵明;田光磊;吴东平;陈晓鹏;常志伟;李浩 | 申请(专利权)人: | 施科特光电材料(昆山)有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽;曾人泉 |
地址: | 215341 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 适用于 大功率 gan led 芯片 网络 电极 | ||
1. 一种适用于大功率GaN基LED芯片的网络状电极,含有衬底、P型电极和N型电极,在所述衬底的P型氮化镓GaN的表面覆盖有ITO薄膜层,其特征在于,所述衬底由网络状的沟槽(2)分割成若干对称分布的台面(1),所述沟槽(2)深入到台面(1)N型的GaN层,但不对N型的GaN层作分割,而是将N型的GaN层及其外延的N型GaN层之上的量子阱层、超晶格层分割为互不相连的部分;沿台面(1)外圈的沟槽(2)形成“L”形台面;所述P型电极包含P型金属电极(6)和P型金属焊盘,设置在台面(1)表面的P型ITO薄膜层(3)上;所述N型电极为包含N型金属电极(4)与N型金属焊盘(6)的网络状电极,所述N型金属电极(4)为相互交错形成网络状的条形电极,设置在台面(1)的台面结构上,被二氧化硅钝化层或者氮化硅钝化层掩埋并与由台面(1)边缘和所述的沟槽(2)相隔离;所述N型金属焊盘(5)设置在所述网络状的N型金属电极(4)的节点处,由所述的台面(1)边缘与所述的沟槽(2)相隔离或者是由所述的沟槽(2)相隔离。
2. 根据权利要求1所述的适用于大功率GaN基LED芯片的网络状电极,其特征在于,所述的衬底为矩形结构,其长与宽至少为762微米。
3. 根据权利要求1所述的适用于大功率GaN基LED芯片的网络状电极,其特征在于,所述的P型金属电极(6)为相互交错形成网络状的条形电极,设置在所述台面(1)表面的ITO薄膜层上,所述P型金属焊盘(7)设置在所述网络状的P型金属电极(6)连接的节点处。
4. 根据权利要求1所述的适用于大功率GaN基LED芯片的网络状电极,其特征在于,所述P型金属电极(6)由单独的P型金属焊盘(7)构成,设置在所述台面(1)表面的ITO薄膜层上。
5. 根据权利要求1所述的适用于大功率GaN基LED芯片的网络状电极,其特征在于,所述的N型金属电极(4)与N型金属焊盘(5)以及所述的P面金属电极(6)与P面金属焊盘(7)至少具有中心反演对称性和绕垂直于芯片中心法线的二次轴对称性及四次轴对称性。
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