[实用新型]一种阵列基板及显示设备有效
申请号: | 201220208397.X | 申请日: | 2012-05-09 |
公开(公告)号: | CN202533686U | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 高玉杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;姜精斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及液晶显示器技术领域,具体涉及一种阵列基板及显示设备。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)面板一般是由控制液晶旋转的TFT阵列基板以及设有三原色(R、G、B)滤光片的彩膜基板构成,然后在两层基板之间填充液晶层。其中,TFT阵列基板通过各层膜的沉积、刻蚀以后形成栅金属层(包括栅极线、TFT栅极)、源漏金属层(包括TFT源/漏极和数据线)以及像素电极层等结构。
现有高级超维场转换(ADvanced Super Dimension Switch,简称ADS)模式TFT-LCD阵列基板像素结构中,栅极线和公共电极线采用同一层金属层铺设,通过刻蚀等加工工艺形成栅极线和公共电极线,公共电极线与同样形成在衬底基板上的第一透明电极(可以是氧化铟锡ITO电极)直接搭接,共同构成ADS型阵列基板的公共电极;然后在形成有栅极线、公共电极线和第一透明电极的基板上覆盖一层栅极绝缘层。
由于现有栅极线和公共电极线是对同一金属层通过刻蚀等加工工艺形成的,这可能导致栅极线和公共电极线之间存在残留的金属,从而易导致栅极线和公共电极线(即公共电极)之间发生短路(GCS)。
实用新型内容
本实用新型提供一种阵列基板及显示设备,从而确保阵列基板中的栅极线和公共电极之间不会出现短路的情况。
为解决上述技术问题,本实用新型提供方案如下:
本实用新型实施例提供了一种阵列基板,包括:
基板;
设置于所述基板上的栅金属层,该栅金属层包括栅极线和栅极;
设置于所述基板以及所述栅极线和栅极上的栅极绝缘层;
设置于所述栅极绝缘层上的源漏金属层,该源漏金属层包括源极、漏极、数据线以及多个公共电极线段,所述公共电极线段与所述数据线之间无连接,并且,每一个像素区域内存在一公共电极线段;
设置于所述栅极绝缘层上的多个第一透明电极,位于同一像素区域内的第一透明电极和公共电极线段相连接,共同形成该像素区域内的公共电极。
优选的,所述的阵列基板还包括:
设置于所述源漏金属层和所述第一透明电极上方的钝化层,在所述钝化层上形成有多个过孔。
优选的,所述的阵列基板还包括:
用于实现位于数据线左右两侧相邻的两个像素区域内公共电极之间电连接的第一连接电极;
所述第一连接电极设置于所述钝化层上方;
所述第一连接电极通过过孔,分别与位于数据线左右两侧相邻的两个像素区域内的公共电极线段电连接。
优选的,所述的阵列基板还包括:
设置于所述钝化层上方的第二透明电极,所述第二透明电极通过过孔与所述漏极相连;
所述第一连接电极为透明电极,且与所述第二透明电极同层设置。
优选的,所述的阵列基板还包括::
用于实现位于栅极线上下两侧相邻的两个像素区域内公共电极之间电连接的第二连接电极;
所述第二连接电极设置于所述钝化层上方;
所述第二连接电极的一端通过过孔与位于栅极线上侧像素区域内的第一透明电极电连接,所述第二连接电极的另一端通过过孔与位于栅极线下侧像素区域内的公共电极线段电连接。
优选的,所述的阵列基板还包括:还包括:
设置于所述钝化层上方的第二透明电极,所述第二透明电极通过过孔与所述漏极相连;
所述第二连接电极为透明电极,且与所述第二透明电极同层设置。
优选的,所述源漏金属层还包括:
用于减小第二连接电极与第一透明电极的接触电阻的接触电极。
优选的,所述接触电极与所述公共电极线段同层设置且采用相同材料。
优选的,所述公共电极线段与所述数据线垂直设置。
本实用新型实施例还提供了一种显示设备,其包括上述本实用新型实施例提供的阵列基板。
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