[实用新型]新型硅电容压力传感器有效
| 申请号： | 201220210020.8 | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN202562689U | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 张治国;李颖;张娜;周磊;刘剑 | 申请（专利权）人： | 沈阳仪表科学研究院 |
| 主分类号： | G01L9/12 | 分类号： | G01L9/12 |
| 代理公司： | 沈阳科威专利代理有限责任公司 21101 | 代理人： | 杨滨 |
| 地址： | 110043 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型 电容 压力传感器 | ||
【权利要求书】：
1.新型硅电容压力传感器，它包括有硅片层和玻璃层，其特征是：在岛膜结构的硅中心可动极板上下两侧分别连接有一硅固定极板，所述的硅固定极板包括采用静电封接的硅片层和玻璃层，该玻璃层的厚度为50-200微米；所述硅固定极板的中部设有中心引压孔，在中心引压孔内及靠近中心引压孔的硅固定极板的外表面设置有铝膜层。
2.根据权利要求1所述的新型硅电容压力传感器，其特征是：所述的传感器依上至下组成了具有“硅-玻璃-硅-玻璃-硅” 五层敏感芯体核心结构的电容压力传感器。
3.根据权利要求1所述的新型硅电容压力传感器，其特征是：所述玻璃层的厚度为100±10微米。
4.根据权利要求1所述的新型硅电容压力传感器，其特征是：上下硅-玻璃极板，上层硅极板厚度为1～1.5毫米，玻璃层50微米～200微米，中心极板厚度0.4毫米，硅材料为100晶面，边缘沿110晶向。
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