[实用新型]石英舟有效
申请号: | 201220212035.8 | 申请日: | 2012-05-11 |
公开(公告)号: | CN202633255U | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 宋海江 | 申请(专利权)人: | 苏州贝斯特石英有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 陆花 |
地址: | 215234 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石英 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种载具,尤其涉及一种石英舟。
背景技术
石英舟是扩散工艺的必备工具,无论是半导体器件的扩散,还是太阳能工艺的扩散都大量使用石英器件做为载体,石英舟耐高温不变形,不污染器件而且能重复使用,尤其是近几年来由于太阳能产业发展迅速,人们使用石英舟的式样也越来越多。
目前的石英舟如图1所示,包括外框架1以及固定杆4,所述外框架1包括横杆2和垂直于所述横杆2并与所述横杆2固定连接的竖杆3,所述固定杆4垂直与所述横杆2,又垂直于所述竖杆3,如图2所示,所述固定杆4上分别开有相对应的横切面为矩形的凹槽5,将硅片等材料放置于石英舟的凹槽5中,由于所述硅片与所述凹槽5的侧边相接处,在所述硅片上会存在一定的无法被扩散到的“扩散盲区”。
因此,如何提供一种能够提高扩散均匀性、消除“扩散盲区”的石英舟是本领域的技术人员亟待解决的一个技术问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种石英舟,以解决现有的石英舟存在“扩散盲区”的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种石英舟,包括两个相对设置的面板、两个底部连接杆以及两个侧壁连接杆,所述两个底部连接杆的两端分别与所述两个面板的底边固定连接,所述两个侧壁连接杆的两端分别与所述两个面板的两个侧边固定连接,所述两个侧壁连接杆相对的一侧设有间隔排布的第一凹槽,所述两个底部连接杆的上侧设有间隔排布的与所述第一凹槽相匹配的第二凹槽,所述两个侧壁连接杆的横切面为外侧的矩形与内侧的直角梯形组合成的五边形,所述直角梯形的底边与所述矩形的长边重合,所述直角梯形的顶边上设有间隔排布的第一凹槽。
较佳地,所述第一凹槽的横切面为梯形。
较佳地,所述底部连接杆的横切面为下侧的矩形与上侧的直角梯形组合成的五边形,所述直角梯形的底边与所述矩形的长边重合。
较佳地,所述直角梯形的顶边上设有间隔排布的第二凹槽。
较佳地,所述第二凹槽的横切面为三角形。
较佳地,所述两个面板的顶部分别设有悬挂结构,所述悬挂结构与所述面板的顶部固定连接。
较佳地,所述悬挂结构为倾斜板,且所述倾斜板所在的平面与所述面板所在的平面的夹角大于30度,小于80度。
本实用新型提供的种石英舟,包括两个相对设置的面板、两个底部连接杆以及两个侧壁连接杆,所述两个底部连接杆的两端分别与所述两个面板的底边固定连接,所述两个侧壁连接杆的两端分别与所述两个面板的两个侧边固定连接,所述两个侧壁连接杆相对的一侧设有间隔排布的第一凹槽,所述两个底部连接杆的上侧设有间隔排布的与所述第一凹槽相匹配的第二凹槽,其特征在于,所述两个侧壁连接杆的横切面为外侧的矩形与内侧的直角梯形组合成的五边形,所述直角梯形的底边与所述矩形的长边重合,所述直角梯形的顶边上设有间隔排布的第一凹槽。本实用新型采用矩形与直角梯形组合成的五边形为横切面的侧壁连接杆,将硅片置于所述第一凹槽中,侧壁连接杆与所述硅片接触处的垂直厚度减小,硅片与第一凹槽的接触面减小,提高扩散均匀性,消除“扩散盲区”,进而减小漏电流,提高并联电阻,提高开路电压。
附图说明
图1为现有的石英舟结构示意图;
图2为图1的俯视图;
图3为本实用新型一实施例的石英舟结构示意图;
图4为图3的A部放大图;
图5为图3的俯视图;
图6为图5的B部放大图;
图7为图3的左视图。
图中:1-外框架、2-横杆、3-竖杆、4-固定杆、5-凹槽;
10-面板、11-侧壁连接杆、12-底部连接杆、13-第一凹槽、14-第二凹槽、15-倾斜板、16-硅片。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造