[实用新型]一种改进型的三极管引线框架有效

专利信息
申请号: 201220216321.1 申请日: 2012-05-15
公开(公告)号: CN202721119U 公开(公告)日: 2013-02-06
发明(设计)人: 钱军 申请(专利权)人: 苏州泰嘉电子有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏省苏州市相*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 改进型 三极管 引线 框架
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种改进型的三极管引线框架。

背景技术

伴随电子市场的发展,半导体元器件的集成度越来越高,而且其存储量、信号处理速度和功率急速增加,然而体积却越来越小。这一趋势加速了半导体器件封装技术的发展,因此半导体器件封装技术的重要性已经受到了生产企业的关注。半导体器件的高集成度以及存储器的增加还使得输入和输出接线端子的数量也相应增加,继而也使得引线的数目相应的增加,这就要求引线的布置也必须精确。

引线框架是半导体封装中的骨架,它主要由三部分构成:散热片、芯片承载台以及引脚。其中芯片承载台在封装过程中为芯片提供机械支撑,而引脚则是连接芯片到电路板的电学通路。引线框架的功能是至关重要的,芯片在封装过程以及使用中,往往由于焊接点虚焊,水汽或者具有腐蚀性的液体进入芯片,或者是塑料壳体与金属支架松脱直接导致三极管失效。为了满足市场发展的需求,引线框架在结构上、功能上需要不断的改进。

实用新型内容

为了克服现有技术中存在的技术问题,本实用新型提供以下技术方案:

一种改进型的三极管引线框架,包含若干个框架单元,每个框架单元上端为散热片,所述散热片上设有一个圆形通孔。

进一步的所述散热片下部是芯片承载台,在所述散热片与所述芯片承载台之间设有锯齿形凹槽。

进一步的,所述芯片承载台正反面沿边缘均设有矩形槽,在所述矩形槽的内侧还设有梯形凹槽。

进一步的,与所述芯片承载台相连2个以上的引脚,所述引脚的头部为60°的尖角设计。

本实用新型所带来的有益效果是:通以上设计增强了引线框架与塑料壳体、芯片之间的结合力,也能阻止外部水汽或者粉尘进入框架,大大提高了产品的性能。

附图说明

图1为本实用新型实施例一提供的引线框架结构示意图

图2为本实用新型实施例一提供的引线框架A-A截面结构示意图

图3为本实用新型实施例一提供的引线框架B-B截面结构示意图

图4为本实用新型实施例二提供的引线框架结构示意图

图5为本实用新型实施例二提供的引线框架C-C截面结构示意图

图6为本实用新型实施例二提供的引线框架D-D截面结构示意图

具体实施方式

下面对结合附图对本实用新型的较佳实施例作详细阐述,以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本实用新型的保护范围作出更为清楚明确的界定。

实施例一

如图1、图2、图3所示,一种改进型的三极管引线框架,该引线框架包含若干个框架单元,所述的相邻框架单元之间通过上筋4、中筋5、底筋6相连接,每个所述的框架单元上端为散热片1,所述散热片下部是芯片承载台2,与所述芯片承载台相连的是引脚3。

其中,在所述散热片1上设有圆形通孔11,所述散热片1与所述芯片承载台2之间设有锯齿形的凹槽12。所述芯片承载台2正反面沿边缘均设有矩形槽21在所述的正面矩形槽的内侧还设有梯形的凹槽22。

其中,所述引脚由左侧引脚31、中间引脚32、右侧引脚33组成,所述引脚的头部为60°的尖角设计。

实施例二

如图4、图5、图6所示,一种改进型的三极管引线框架,该引线框架包含若干个框架单元,所述的相邻框架单元之间通过上筋d、中筋e、底筋f相连接,每个所述的框架单元上端为散热片a,所述散热片下部是芯片承载台b,与所述芯片承载台相连的是引脚c。

其中,在所述散热片a上设有圆形通孔a1,所述散热片a与所述芯片承载台b之间设有锯齿形的凹槽a2。所述芯片承载台b正反面沿边缘均设有矩形槽b1在所述的正面矩形槽的内侧还设有梯形的凹槽b2。

其中,所述引脚由左侧引脚c1、右侧引脚c2组成,所述引脚的头部为60°的尖角设计。

通过实施例一和二可以看出,在散热片上设有一个圆形通孔可以增加引线框架与芯片的焊接强度。在所述散热片与所述芯片承载台之间设有锯齿形的凹槽,可以阻止外部液体和灰尘的进入。所述芯片承载台正反面沿边缘均设有矩形槽,用来加强与塑料壳体之间的咬合力。在所述的正面矩形槽的内侧还设有梯形的凹槽用来阻止外部液体灰尘的进入。所述引脚的头部为60°的尖角设计,方便后续的切断以及三极管的插拔。

以上所述,仅为本实用新型的具体实施方式之一,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本领域的技术人员在本实用新型所揭露的技术范围内,可不经过创造性劳动想到的变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。

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