[实用新型]具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池结构

权利要求书

1.一种太阳能电池结构，其特征在于包括：

硅衬底，其具有在正常工作期间面向太阳的正面和与正面相对的背面；

P型掺杂区域和N型掺杂区域；

沟槽结构，其将P型掺杂区域和N型掺杂区域物理分开；以及

沟槽中断，其断开沟槽结构的连续性并在P型掺杂区域和N型掺杂区域之间形成对接结。

2.如权利要求1所述的太阳能电池结构，进一步包括：

第一电介质层，其处于衬底上方以及P型掺杂区域下方。

3.如权利要求2所述的太阳能电池结构，进一步包括：

第二电介质层，其处于P型掺杂区域上方。

4.如权利要求1所述的太阳能电池结构，进一步包括：

沟槽下的衬底中的扩散钝化区域。

5.如权利要求1所述的太阳能电池结构，进一步包括：与P型掺杂区域和N型掺杂区域电耦合的叉指型金属接触指。

6.如权利要求1所述的太阳能电池结构，进一步包括：

形成在沟槽中的沟槽电介质。

7.如权利要求1所述的太阳能电池结构，其中P型掺杂区域和N掺杂区域包括多晶硅。

8.一种太阳能电池结构，其特征在于包括：

在硅衬底的背面上形成的P型掺杂区域和N型掺杂区域；

电介质层，其位于P型掺杂区域与硅衬底之间以及N型掺杂区域与硅衬底之间；以及

中断的沟槽结构，其将P型掺杂区域和N型掺杂区域分开，中断的沟槽结构包括第一沟槽中断，以允许P型掺杂区域和N型掺杂区域通过该第一沟槽中断耦接。

9.如权利要求8所述的太阳能电池结构，其中，中断的沟槽结构进一步包括第二沟槽中断，以允许P型掺杂区域和N型掺杂区域通过该第二沟槽中断耦接。

10.如权利要求8所述的太阳能电池结构，进一步包括：

沟槽下的衬底中的扩散钝化区域。

11.如权利要求8所述的太阳能电池结构，进一步包括：

与P型掺杂区域和N型掺杂区域电耦合的叉指型金属接触指。

12.如权利要求8所述的太阳能电池结构，进一步包括：

形成在中断的沟槽结构中的沟槽电介质。

13.如权利要求8所述的太阳能电池结构，其中P型掺杂区域和N掺杂区域包括多晶硅。

14.如权利要求8所述的太阳能电池结构，进一步包括在中断的沟槽结构表面上形成的钝化层。