[实用新型]有机发光显示装置有效
申请号: | 201220222573.5 | 申请日: | 2012-05-17 |
公开(公告)号: | CN202695445U | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 严基明 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;宋志强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
优先权要求
本申请涉及到且合并早先于2011年9月8日在韩国知识产权局提交的并且在该局正式分配序号No.10-2011-0091323的专利申请,并且要求从其中获得的全部权益。
技术领域
本实用新型涉及有机发光显示装置,更具体地,涉及包括构成单元像素的三个子像素的有机发光显示装置。
背景技术
通常,有机发光显示装置的单元像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,并且通过将三个子像素的颜色进行组合,获得期望的颜色。
三个子像素中的每一个包括薄膜晶体管、电容器和发光单元,发光单元与薄膜晶体管和电容器连接。发光单元从薄膜晶体管和电容器接收合适的驱动信号来发光和显示期望的图像。
在红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中,绿色子像素具有最高的发光效率。因此,当如传统方法中将三个子像素形成为具有相同的尺寸时,流经绿色子像素的电流较小。也就是说,由于效率比其它子像素高的子像素在电流比其它子像素的小的情况下与其它子像素具有相同的亮度,所以为了使三个子像素具有相同的亮度,流经绿色子像素的电流较小。然而,在此情况下,由于绿色子像素中显示色阶的摆幅范围变窄,所以需要更精确的控制。例如,如果显示具有256级的色阶,那么由于绿色子像素用相对小的电流显示256级,所以与其它子像素相比,绿色子像素中用于显示全部色阶的电压控制范围变窄并且一个色阶中的电压差减小,从而使其难以控制。因此,一旦摆幅范围变窄,即使有轻微的偏离就不能准确显示色阶,因而增大了亮度变化。因此需要一种解决该问题的办法。
实用新型内容
本实用新型提供一种有机发光显示装置,其可以防止由具有不同颜色的子像素之间的效率差异导致的绿色子像素的摆幅范围变窄。
根据本实用新型的一个方面,提供一种有机发光显示装置,其包括:发射不同颜色的光的多个子像素,每个子像素包括薄膜晶体管和电容器,发射第一颜色的光的子像素的所述薄膜晶体管的尺寸大于发射第二颜色的光的子像素的所述薄膜晶体管的尺寸。
根据本实用新型的另一方面,提供一种有机发光显示装置,其包括:红色子像素和绿色子像素,所述红色子像素和所述绿色子像素中的每一个包括薄膜晶体管和电容器,所述绿色子像素的所述薄膜晶体管的尺寸大于所述红色子像素的所述薄膜晶体管的尺寸。
根据本实用新型的另一方面,提供一种有机发光显示装置,其包括发射具有不同颜色的光的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,并且每个子像素包括薄膜晶体管和电容器,其中所述绿色子像素的所述薄膜晶体管的尺寸大于所述红色子像素和所述蓝色子像素的所述薄膜晶体管中每一个的尺寸。
所述薄膜晶体管可以包括有源层和栅电极,其中所述绿色子像素的所述有源层和所述栅电极之间的重叠区的宽度小于所述红色子像素和所述蓝色子像素中每一个的所述有源层和所述栅电极之间的重叠区的宽度。
所述绿色子像素的所述有源层和所述栅电极之间的所述重叠区的长度可以大于所述红色子像素和所述蓝色子像素中每一个的所述有源层和所述栅电极之间的所述重叠区的长度。
所述红色子像素和所述蓝色子像素中每一个的宽度与长度的比值可以在4:20到5:20的范围内,而所述绿色子像素的宽度与长度的比值可以在3:30到4:30的范围内。
在所述重叠区中,所述栅电极可以具有矩形形状,所述有源层可以具有T形形状。
所述电容器可以包括存储电容器和升压电容器。
所述绿色子像素的所述存储电容器的面积和所述升压电容器的面积可以大于所述红色子像素和所述蓝色子像素中每一个的所述存储电容器的面积和所述升压电容器的面积。
所述存储电容器可以包括第一存储电极和第二存储电极,所述第一存储电极与所述有源层由同一层形成,所述第二存储电极与所述栅电极由同一层形成,其中所述绿色子像素的所述第一存储电极和所述第二存储电极之间的重叠区大于所述红色子像素和所述蓝色子像素中每一个的所述第一存储电极和所述第二存储电极之间的重叠区。
在所述第一存储电极中可以形成有多个孔。
所述升压电容器可以包括第一升压电极和第二升压电极,所述第一升压电极与所述有源层由同一层形成,所述第二升压电极与所述栅电极由同一层形成,其中所述绿色子像素的所述第一升压电极和所述第二升压电极之间的重叠区大于所述红色子像素和所述蓝色子像素中每一个的所述第一升压电极和所述第二升压电极之间的重叠区。
所述薄膜晶体管可以是驱动晶体管。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的