[实用新型]平面结构白光LED芯片

权利要求书

1.一种平面结构白光LED芯片，包括：

衬底，所述衬底为非导电衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面；

外延层，所述外延层设置于所述衬底的第一表面上；

荧光粉混合层，所述荧光粉混合层设置在所述外延层上；

第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极设置在所述外延层上并与所述外延层相连；

至少两个电极金属球，所述电极金属球分别连接于所述荧光粉混合层中的所述第一电极和第二电极上。

2.如权利要求1所述的平面结构白光LED芯片，其特征在于，所述荧光粉混合层的材质包含荧光粉和粘结胶水。

3.如权利要求1所述的平面结构白光LED芯片，其特征在于，所述荧光粉混合层的厚度为5um～100um。

4.如权利要求1平面结构白光LED芯片，其特征在于，所述荧光粉混合层的大小尺寸等于所述外延层的大小尺寸，或大于所述外延层的大小尺寸并包裹所述外延层的侧壁。

5.如权利要求1平面结构白光LED芯片，其特征在于，所述荧光粉混合层的大小尺寸为24mil*24mil、20mil*40mil、35mil*35mil、38mil*38mil、40mil*40mil、45mil*45mil或60mil*60mil的大小尺寸。

6.如权利要求1所述的平面结构白光LED芯片，其特征在于，所述电极金属球的高度为5um～300um。

7.如权利要求1所述的平面结构白光LED芯片，其特征在于，所述电极金属球的材料为金属或合金，所述金属为金、铝、铜、银、锑或锡，所述合金为铝硅合金、铝铜合金、锡铜合金、锡银铜合金或铝硅铜合金。

8.如权利要求1所述的平面结构白光LED芯片，其特征在于，所述电极金属球的上表面与所述荧光粉混合层的上表面位于同一平面上。

9.如权利要求1所述的平面结构白光LED芯片，其特征在于，所述外延层包括自上至下依次层叠设置的第一限制层、发光外延层和第二限制层。

10.如权利要求9所述的平面结构白光LED芯片，其特征在于，所述第二限制层的大小尺寸大于所述第一限制层和发光层的大小尺寸，所述第一电极位于 所述第一限制层上，所述第二电极位于所述第一限制层旁的第二限制层上。

11.如权利要求9所述的平面结构白光LED芯片，其特征在于，所述发光外延层为激发紫外光或蓝紫光的多量子阱有源层。

12.如权利要求1所述的平面结构白光LED芯片，其特征在于，所述外延层的材料包括氮化镓基材料、磷化镓基材料、镓氮磷基材料或氧化锌基材料。

13.如权利要求1至12中任意一项所述的平面结构白光LED芯片，其特征在于，所述平面结构白光LED芯片还包括钝化层，所述钝化层设置在所述外延层和所述荧光粉混合层之间。

14.如权利要求13所述的平面结构白光LED芯片，其特征在于，所述钝化层的材料包括氮化硅、二氧化硅、氮化铝或氧化铝。

15.如权利要求1至12中任意一项所述的平面结构白光LED芯片，其特征在于，所述平面结构白光LED芯片还包括缓冲层，所述缓冲层设置在所述衬底和所述外延层之间。

16.如权利要求1至12中任意一项所述的平面结构白光LED芯片，其特征在于，所述平面结构白光LED芯片还包括反射层，所述反射层设置在所述衬底的第二表面上。