[实用新型]晶体硅太阳能电池镀膜设备有效
| 申请号： | 201220230390.8 | 申请日： | 2012-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN202688433U | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 姜言森;张春艳;张丽丽;杜敏;孙继峰;张黎明;刘鹏;李玉花;程亮;任现坤;贾河顺;徐振华;李刚;王兆光;姚增辉;张同星 | 申请（专利权）人： | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458;H01L31/18 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 宋玉霞 |
| 地址： | 250103 山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 镀膜 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体硅太阳能电池镀膜设备，包括反应腔室和硅片载板，其特征在于，硅片载板位于反应腔室中部，另外还包括反应腔室上方的上进气孔，下方的下进气孔，反应腔室两侧的排气孔，硅片载板上方的上等离子源及硅片载板下方的下等离子源，与排气孔外接的真空泵和均匀分布于反应腔室上下内表面的加热装置。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池镀膜设备，其特征在于：硅片载板为石墨板，石墨板均匀镂空，镂空形状与硅片形状一致，镂空大小略小于硅片，镂空上方承载硅片。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池镀膜设备，其特征在于：硅片载板为石墨板，石墨板均匀镂空，镂空形状与硅片形状一致，镂空大小略大于硅片，在硅片载板下边缘设置挂钩，硅片水平置于挂钩上。
4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池镀膜设备，其特征在于：上等离子源位于硅片载板上方，下等离子源位于硅片载板下方。
5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池镀膜设备，其特征在于：上进气孔位于硅片载板以及上等离子源上方，下进气孔位于硅片载板以及下等离子源下方。
6.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池镀膜设备，其特征在于：排气孔位于反应腔室侧面，与硅片载板处于同一水平面，排气孔外接真空泵。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
