[实用新型]多功能内存接口电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子电路领域，特别是涉及一种多功能内存接口电路。

背景技术

随着半导体制造工艺的不断提升，芯片设计能力的不断提高，各类处理器的功能也在急剧提升，对内存的容量、速度都提出了更高的要求。内存技术也在不断发展，从SDRSDARM，MOBILE SDRAM，发展到DDR，DDR2，Mobile DDR，到现在正在批量推出的DDR3 SDRAM，其容量和速度都在呈线性增长，对于MOBILE SDRAM的应用，除了性能以外，功耗的控制，也至关重要。对于多数SoC来说，其性能也在不但提升，对内存容量和速度的需求也在不断提升，从早期的对SDR SDRAM的需求到现在的对DDR2，DDR3的需求。但是作为电子设备的一个非常基木的要求就是向前的兼容性，这样能保持以前开发的固件，软件，辅助器件等仍能与新的产品配合，在产品不断升级的过程中，不失去市场和应用。内存就是一个非常典型的例子。

为了保持兼容性，许多SoC芯片都要求其内存接口IP能够支持多种接口标准，如SDR SDRAM，DDRl，DDR2，有些甚至要求能够支持mobile SDRAM，mobileDDR等，这样能使一个芯片用于多个平台。要支持多个接口标准，最简单的做法是将几个不同的接口拼在一起，但是这样做，不仅面积剧增，而且会因为输入输出的负载变大而增大功耗、降低性能。面积的增加，会导致一连串的问题，包括成本增加、良率下降、芯片的集成变得更复杂甚至不可能。不仅如此，因为不同的内存接口标准还采用不同的I/O电压，所以需采用不同的供电网络，这样一来会增加芯片成本，还会导致潜在的芯片失败，所以多模接口的设计不能是一个简单的叠加。

实用新型内容

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种多功能内存接口电路，能够降低生产成本，运行状况稳定，能够提供多种内存接口的支持。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：提供一种多功能内存接口电路，包括：信号输入端、信号接收电路、检测电路、控制电路、偏置发生电路和信号输出端，所述信号输入端、信号接收端、控制电路依次电性连接，所述检测电路并联在信号接收电路上，所述控制电路与偏置发生电路控制连接，所述偏置发生电路与信号输出端电性连接。

在本实用新型一个较佳实施例中，所述偏置发生电路与信号输出端之间还连接有比较器。

在本实用新型一个较佳实施例中，所述信号接收电路包括单元信号接收器和差动信号接收器。

在本实用新型一个较佳实施例中，所述偏置发生电路包括带PMOS管的上拉路径偏置电路和带NMOS管的下拉路径偏置电路。

在本实用新型一个较佳实施例中，所述输入信号端上还并联有保护电路。

本实用新型的有益效果是：本实用新型多功能内存接口电路能够降低生产成本，运行状况稳定，能够提供多种内存接口的支持。

附图说明

图1是本实用新型多功能内存接口电路一较佳实施例的结构示意图；

附图中各部件的标记如下：1、信号输入端，2、信号接收电路，3、检测电路，4、控制电路，5、偏置发生电路，6、信号输出端，7、比较器，8、保护电路。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的较佳实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。

请参阅图1，一种多功能内存接口电路，包括：信号输入端1、信号接收电路2、检测电路3、控制电路4、偏置发生电路5和信号输出端6，所述信号输入端1、信号接收端2、控制电路4依次电性连接，所述检测电路3并联在信号接收2电路上，所述控制电路4与偏置发生电路控5制连接，所述偏置发生电路5与信号输出端6电性连接。

另外，所述偏置发生电路5与信号输出端之间6还连接有比较器7。

另外，所述信号接收电路2包括单元信号接收器和差动信号接收器。

另外，所述偏置发生电路5包括带PMOS管的上拉路径偏置电路和带NMOS管的下拉路径偏置电路。

另外，所述输入信号端6上还并联有保护电路8。

区别于现有技术，本发明多功能内存接口电路，能够降低生产成本，运行状况稳定，能够提供多种内存接口的支持。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。