[实用新型]具有MEMS器件的装置有效

专利信息
申请号: 201220233459.2 申请日: 2012-05-23
公开(公告)号: CN202705026U 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: G.亨 申请(专利权)人: 埃普科斯股份有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 杜荔南;刘春元
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 具有 mems 器件 装置
【权利要求书】:

1.具有至少一个MEMS器件的装置,

- 包括至少包围MEMS器件并且相对于周围环境密封的封装,

- 其中所述封装作为密封体包括由借助于功能组聚合的全氟聚醚构成的PFPE层。

2.根据权利要求1的装置,

其中所述PFPE层被结构化并且覆盖所述装置的一部分。

3.根据权利要求1或2的装置,

其中所述MEMS器件布置在载体上,

其中所述PFPE层大面积地覆盖所述MEMS器件,至少部分地位于所述载体上并且相对于载体密封MEMS器件。

4.根据权利要求3的装置,

其中所述PFPE层经结构化地施加在MEMS器件或者载体上并且为布置在所述PFPE层上的覆盖体构造密封的中间隔层。

5.根据权利要求4的装置,

其中所述覆盖体包括陶瓷或者结晶材料的板或小板。

6.根据权利要求4或5的装置,

其中所述MEMS器件或者所述载体与所述覆盖体包括相同的结晶或者陶瓷材料。

7.根据权利要求1-6之一的装置,

其中所述PFPE层被框形地结构化,并且要么位于MEMS器件的表面上并且包围所述MEMS器件的器件结构,要么位于载体的表面上并且包围至少所述MEMS器件,并且其中所述覆盖体密封地位于框形结构化的PFPE层上,使得在覆盖体、PFPE层与MEMS器件或载体的表面之间构造空腔。

8.根据权利要求1-7之一的装置,

其中所述PFPE层被结构化并且至少包括第一和第二结构化的部分层,

其中所述第二结构化的部分层位于第一部分层上并且化学地与该第一部分层连接,

其中第一和第二PFPE部分层一起构造三维结构。

9.根据权利要求8的装置,

其中所述三维结构构造罩的形式,在该罩中定义一侧打开的凹槽,其中所述罩相对于MEMS器件或者载体的表面密封地放在所述MEMS器件上或者所述载体上,使得器件结构或者整个MEMS器件都布置在凹槽中并且相对于环境影响得到保护。

10.根据权利要求8或9的装置,

其中所述三维结构在一侧具有多个凹槽,在所述凹槽中分别布置器件或者MEMS器件的器件结构。

11.根据权利要求1-10之一的装置,

其中所述PTFE层大面积地作为密封层施加在以倒装芯片技术安装在载体上的MEMS器件上。

12.根据权利要求1-11之一的装置,

其中在载体上设置另外的器件并且借助于大面积的或者结构化的PTFE层对所述器件中的至少一个进行密封。

13.根据权利要求1-12之一的装置,

其中所述PTFE层覆盖MEMS器件或者该MEMS器件的器件结构,

其中直接在PTFE层上使用用于密封或屏蔽目的的另外的覆盖层。

14.根据权利要求13的装置,

其中所述另外的覆盖层是金属层或者由气相沉积的介电层。

15.根据权利要求1-14之一的装置,

其中所述MEMS器件是具有移动部分的微结构化的机电器件、传感器或者用声波工作的器件。

16.根据权利要求1-15之一的装置,

其中所述MEMS器件是HF器件。

17.根据权利要求1-16之一的装置,

其中PTFE层的功能组是交联的甲基丙烯酸酯组。

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