[实用新型]大功率三相三重直流斩波装置

权利要求书

1.一种大功率三相三重直流斩波装置，其特征在于：包括电机侧变流装置、电网侧变流装置、以及斩波控制装置；所述电机侧变流装置包括三相不控整流电路和三重升压斩波电路；所述电网侧变流装置包括三相PWM逆变电路；三相不控整流电路的正输出端与三重升压斩波电路的正输入端连接；三相不控整流电路的负输出端与三重升压斩波电路的负输入端连接；三重升压斩波电路的正输出端与三相PWM逆变电路的正输入端连接；三重升压斩波电路的负输出端与三相PWM逆变电路的负输入端连接；三重升压斩波电路的控制端、三相PWM逆变电路的控制端均与斩波控制装置的输出端连接。

2.根据权利要求1所述的大功率三相三重直流斩波装置，其特征在于：所述三相不控整流电路包括由第一-第四二极管（D1-D4）构成的第一整流桥、由第五-第八二极管（D5-D8）构成的第二整流桥、以及由第九-第十二二极管（D9-D12）构成的第三整流桥；第一整流桥的正输出端、第二整流桥的正输出端、第三整流桥的正输出端并接构成三相不控整流电路的正输出端；第一整流桥的负输出端、第二整流桥的负输出端、第三整流桥的负输出端并接构成三相不控整流电路的负输出端。

3.根据权利要求1所述的大功率三相三重直流斩波装置，其特征在于：所述三重升压斩波电路包括第一-第三IGBT（M1-M3）、第一-第三电感（L1-L3）、第十三-第十五二极管（D13-D15）；第一-第三电感（L1-L3）的一端并接构成三重升压斩波电路的正输入端；第一电感（L1）的另一端、第一IGBT（M1）的集电极均与第十三二极管（D13）的正极连接；第二电感（L2）的另一端、第二IGBT（M2）的集电极均与第十四二极管（D14）的正极连接；第三电感（L3）的另一端、第三IGBT（M3）的集电极均与第十五二极管（D15）的正极连接；第十三-第十五二极管（D13-D15）的负极并接构成三重升压斩波电路的正输出端；第一-第三IGBT（M1-M3）的发射极并接构成三重升压斩波电路的负输入端；第一-第三IGBT（M1-M3）的发射极并接构成三重升压斩波电路的负输出端；第一-第三IGBT（M1-M3）的栅极共同构成三重升压斩波电路的控制端。

4.根据权利要求1所述的大功率三相三重直流斩波装置，其特征在于：所述三相PWM逆变电路包括由第四-第七IGBT（M4-M7）构成的第一逆变桥、由第八-第十一IGBT（M8-M11）构成的第二逆变桥、由第十二-第十五IGBT（M12-M15）构成的第三逆变桥；第一逆变桥的正输入端、第二逆变桥的正输入端、第三逆变桥的正输入端并接构成三相PWM逆变电路的正输入端；第一逆变桥的负输入端、第二逆变桥的负输入端、第三逆变桥的负输入端并接构成三相PWM逆变电路的负输入端；第四-第十五IGBT（M4-M15）的栅极共同构成三相PWM逆变电路的控制端。

5.根据权利要求1所述的大功率三相三重直流斩波装置，其特征在于：所述斩波控制装置包括第一斩波控制芯片（N1）、第二斩波控制芯片（N2）、双口RAM芯片（N3）、以及CPLD芯片（N4）；第一斩波控制芯片（N1）的地址总线与双口RAM芯片（N3）的右端地址总线连接；第一斩波控制芯片（N1）的数据总线与双口RAM芯片（N3）的右端数据总线连接；第二斩波控制芯片（N2）的地址总线与双口RAM芯片（N3）的左端地址总线连接；第二斩波控制芯片（N2）的数据总线与双口RAM芯片（N3）的左端数据总线连接；第一斩波控制芯片（N1）的控制总线与CPLD芯片（N4）的右端控制总线连接；第二斩波控制芯片（N2）的控制总线与CPLD芯片（N4）的左端控制总线连接；第一斩波控制芯片（N1）的输出端构成斩波控制装置的输出端。

6.根据权利要求1所述的大功率三相三重直流斩波装置，其特征在于：还包括第十六二极管（D16）、第十六IGBT（M16）、电阻（R）、第四-第五电容（C4-C5）；第十六二极管（D16）的负极与三重升压斩波电路的正输出端连接；第十六IGBT （M16）的发射极与三重升压斩波电路的负输出端连接；第十六二极管（D16）的正极与第十六IGBT（M16）的集电极连接；电阻（R）并接于第十六二极管（D16）的正、负极之间；第五电容（C5）并接于三重升压斩波电路的正、负输入端之间；第四电容（C4）并接于三重升压斩波电路的正、负输出端之间。