[实用新型]晶体硅太阳能电池有效
| 申请号： | 201220238684.5 | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN202601629U | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 范维涛;勾宪芳;姜利凯;王鹏;宋爱珍;曹华斌 | 申请（专利权）人： | 中节能太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 缪友菊 |
| 地址： | 100041 北京市石景*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体硅太阳能电池，包括硅片（1），其特征在于，在所述硅片（1）的迎光面发射极上依次设置有二氧化硅层（2）、三氧化二铝钝化层（3）和减反射膜层（4），所述硅片（1）的背面上依次设置有二氧化硅层（5）和三氧化二铝钝化层（6）。
2.根据权利要求1 所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述迎光面发射极上的减反射膜层（4）为α-SiNX:H层。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述迎光面发射极上的三氧化二铝钝化层（3）的厚度为5～10nm；背面上的三氧化二铝钝化层（6）的厚度为10～30nm。
4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述迎光面发射极上的二氧化硅层（2）和背面上的二氧化硅层（5）厚度均为2～5nm。
5.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述α-SiNX:H层的厚度为60～100nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
