[实用新型]适用于栅线密度区域分布的印刷模版有效
申请号: | 201220238883.6 | 申请日: | 2012-05-25 |
公开(公告)号: | CN202669146U | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 钱腾达;严锦春;顾锡淼 | 申请(专利权)人: | 嘉兴优太太阳能有限公司 |
主分类号: | B41F15/36 | 分类号: | B41F15/36;H01L31/0224 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 314050 浙江省嘉兴市南湖区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 适用于 密度 区域 分布 印刷 模版 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池印刷系统,具体地,涉及适用于栅线密度区域分布的印刷模版。
背景技术
光伏板组件是一种暴露在阳光下便会产生直流电的发电装置,基本上主要以半导体物料(例如硅)制成的固体光伏电池组成,包括P型半导体和N型半导体。P型半导体(P指positive,带正电的):由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成,会在半导体内部形成带正电的空穴;N型半导体(N指negative,带负电的):由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成,会在半导体内部形成带负电的自由电子。
当光的频率超过某一极限频率时,受光照射的太阳能电池板表面立即就会逸出光电子,发生光电效应。当在太阳能电池板外面加一个闭合电路,加上正向电源,这些逸出的光电子全部到达阳极便形成所谓的光电流。位于太阳能电池正面的栅线正式为了富集电荷。
现有技术中的模版印刷出的电极图案中的副栅线在硅片上等密度分布,不能适应硅片方阻的不均匀性,不利于光电转换效率的提高。
实用新型内容
针对现有技术中的缺陷,本实用新型的目的是提供一种适用于栅线密度区域分布的印刷模版。
根据本实用新型的一个方面,提供一种适用于栅线密度区域分布的印刷模版,包括金属支撑丝网、感光乳剂层,所述感光乳剂层覆盖于所述金属支撑丝网,其特征在于,所述感光乳剂层设置有两条主栅线槽和多条副栅线槽,所述主栅线槽连接所述副栅线槽,所述感光乳剂层上包括中央区域和外围区域,其中,所述中央区域被包围在所述外围区域中,所述中央区域的宽度等于两条所述主栅线槽之间的间隔,所述中央区域中副栅线槽的分布密度大于所述外围区域中副栅线槽的分布密度。
优选地,所述中央区域为矩形区域。
优选地,所述中央区域的宽长比等于所述金属支撑丝网的宽长比。
优选地,还包括外框栅线槽,其中,所述外框栅线槽呈环状。
优选地,所述外框栅线槽位于所述外围区域内。
优选地,所述外框栅线槽沿所述金属支撑丝网的边缘延伸。
本实用新型的副栅线槽在不同区域内的分布密度是不同的,中央区域副栅线槽的密度大于外围区域副栅线槽的密度,从而印刷出的栅线可以适应于片内方阻的不均匀性,从而有助于光电转换效率的提高。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1示出根据本实用新型的适用于栅线密度区域分布的印刷模版的结构示意图。
具体实施方式
根据本实用新型提供的适用于栅线密度区域分布的印刷模版,包括金属支撑丝网1、感光乳剂层6,所述感光乳剂层6覆盖在所述金属支撑丝网1,所述感光乳剂层6设置有两条主栅线槽4和多条副栅线槽,所述主栅线槽4连接所述副栅线槽,所述感光乳剂层6上包括中央区域2和外围区域3,其中,所述中央区域2被包围在所述外围区域3中,所述中央区域2的宽度等于两条所述主栅线槽4之间的间隔,所述中央区域2中副栅线槽的分布密度大于所述外围区域3中副栅线槽的分布密度。
本实用新型的副栅线槽在不同区域内的分布密度是不同的,中央区域副栅线槽的密度大于外围区域副栅线槽的密度,从而印刷出的栅线可以适应于片内方阻的不均匀性,从而有助于光电转换效率的提高。
进一步地,所述中央区域2为矩形区域。优选地,所述中央区域2的宽长比等于所述金属支撑丝网1的宽长比。优选地,适用于栅线密度区域分布的印刷模版还包括外框栅线槽5,其中,所述外框栅线槽5呈环状。优选地,所述外框栅线槽5位于所述外围区域内。优选地,所述外框栅线槽5沿所述金属支撑丝网1的边缘延伸。
以上对本实用新型的具体实施例进行了描述。需要理解的是,本实用新型并不局限于上述特定实施方式,本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改,这并不影响本实用新型的实质内容。
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