[实用新型]一种具有双外延结构的AlGaInP系的发光二极管有效
| 申请号： | 201220239183.9 | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN202616281U | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;蔡建九;陈凯轩;张永;单智发;林志园 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/30 |
| 代理公司： | 厦门市诚得知识产权代理事务所 35209 | 代理人： | 方惠春 |
| 地址： | 361000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 外延 结构 algainp 发光二极管 | ||
1. 一种具有双外延结构的AlGaInP系的发光二极管，包括一衬底，衬底下表面连接第一电极，其特征在于：沿衬底的上表面依次生长有布拉格反射层、第一P型限制层、第一有源层、第一N型限制层、第一N型电流扩展层、腐蚀截止层、第二N型电流扩展层、第二N型限制层、第二有源层、第二P型限制层、第二P型电流扩展层，第二P型电流扩展层的上表面连接第二电极，第二N型电流扩展层的侧面连接第三电极，第一电极和第二电极的极性相同，第三电极与第一电极和第二电极的极性相反。
2.根据权利要求1所述的一种具有双外延结构的AlGaInP系的发光二极管，其特征在于：所述构成第一N型电流扩展层和第二N型电流扩展层的材料体系相同时，构成腐蚀截止层材料体系与构成第一N型电流扩展层和第二N型电流扩展层的材料体系不同。
3.根据权利要求1或2所述的一种具有双外延结构的AlGaInP系的发光二极管，其特征在于：所述腐蚀截止层的厚度为20～200nm。
4.根据权利要求1所述的一种具有双外延结构的AlGaInP系的发光二极管，其特征在于：所述构成第一N型电流扩展层和第二N型电流扩展层的材料体系不同时，所述的腐蚀截止层可去除。
5.根据权利要求1或2或4所述的一种具有双外延结构的AlGaInP系的发光二极管，其特征在于：所述第一有源层和第二有源层的发光波长不同时，第一有源层的发光波长比第二有源层的发光波长要长。
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