[实用新型]比较装置有效
申请号: | 201220240448.7 | 申请日: | 2012-05-25 |
公开(公告)号: | CN202978865U | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | T·戴格尔;J·L·斯图兹 | 申请(专利权)人: | 快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司 |
主分类号: | H03K5/22 | 分类号: | H03K5/22 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 武晨燕;张颖玲 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 比较 装置 | ||
1.一种比较装置,包括:
输入端,其用于接收电压;
阈值电压电路,其被配置成在所述阈值电压电路的第一输出端处提供可调节的第一阈值电压,并且在所述阈值电压电路的第二输出端处提供可调节的第二阈值电压,其中,所述第二阈值电压小于所述第一阈值电压;
比较电路,其通信地连接到所述输入端和所述阈值电压电路,并且所述比较电路被配置成:
确定输入电压何时大于所述第一电压阈值,包括当所述第一电压阈值被调节为大体上达到高电源电压轨时的情形;并且
确定所述输入电压何时小于所述第二电压阈值,包括当所述第二电压阈值被调节为大体上低至低电源电压轨时的情形;以及
输出端,其被配置成:当所述输入电压大于所述第一电压阈值时提供第一指示,并且当所述输入电压小于所述第二电压阈值时提供第二指示。
2.根据权利要求1所述的比较装置,其中,所述比较电路包括:
第一比较器,其包括:
差分放大器,其具有N型金属氧化物半导体(NMOS)差分晶体管对;
第一比较器输入端,其连接到所述装置的输入端;并且
第二比较器输入端,其连接到所述阈值电压电路的所述第一输出端;
第二比较器,其包括:
差分放大器,其具有P型金属氧化物半导体(PMOS)差分晶体管对;
第一比较器输入端,其连接到所述装置的输入端;以及
第二比较器输入端,其连接到所述阈值电压电路的所述第二输出端。
3.根据权利要求2所述的比较装置,其中,所述第一比较器和所述第二比较器具有折叠共射共基电路拓扑。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的比较装置,包括逻辑电路,所述逻辑 电路通信地连接到所述比较电路和所述输出端,其中,所述逻辑电路被配置成:
当所述输入电压大于所述第一电压阈值时,在所述输出端处提供第一逻辑状态作为所述第一指示;
当所述输入电压小于所述第二电压阈值时,在所述输出端处提供第二逻辑状态作为所述第二指示;并且
当所述比较电路的禁用输入端被激活时,保持所述输出端的逻辑状态。
5.根据权利要求4所述的比较装置,其中,所述逻辑电路包括锁存电路,所述锁存电路被配置成:当所述比较电路的所述禁用输入端被激活时,存储所述输出端的所述逻辑状态。
6.根据权利要求4所述的比较装置,
其中,所述比较电路包括第一比较器和第二比较器,每个比较器具有连接到所述逻辑电路的输出端,
其中,当所述比较电路的所述禁用输入端被激活时,所述第一比较器的所述输出端被禁用为第一二进制逻辑状态,并且所述第二比较器的所述输出端被禁用为第二二进制逻辑状态,并且
其中,当所述第一比较器和所述第二比较器被禁用时,存储所述逻辑电路的所述输出端的所述逻辑状态。
7.根据权利要求5所述的比较装置,
其中,所述比较电路包括第一比较器和第二比较器,每个比较器具有连接到所述逻辑电路的输出端,
其中,当所述比较电路的所述禁用输入端被激活时,所述第一比较器的所述输出端被禁用为第一二进制逻辑状态,并且所述第二比较器的所述输出端被禁用为第二二进制逻辑状态,并且
其中,当所述第一比较器和所述第二比较器被禁用时,存储所述逻辑电路的所述输出端的所述逻辑状态。
8.根据权利要求4所述的比较装置,其中,所述逻辑电路包括上电复位输入端,并且其中,当所述上电复位输入端被激活时,所述逻辑电路的所述输出 端被设置成规定的逻辑状态。
9.根据权利要求5所述的比较装置,其中,所述逻辑电路包括上电复位输入端,并且其中,当所述上电复位输入端被激活时,所述逻辑电路的所述输出端被设置成规定的逻辑状态。
10.根据权利要求6所述的比较装置,其中,所述逻辑电路包括上电复位输入端,并且其中,当所述上电复位输入端被激活时,所述逻辑电路的所述输出端被设置成规定的逻辑状态。
11.根据权利要求7所述的比较装置,其中,所述逻辑电路包括上电复位输入端,并且其中,当所述上电复位输入端被激活时,所述逻辑电路的所述输出端被设置成规定的逻辑状态。
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