[实用新型]图像传感器有效
申请号: | 201220245255.0 | 申请日: | 2012-05-28 |
公开(公告)号: | CN202678314U | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 赵立新;霍介光;蒋珂玮 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/357;H04N5/365 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于,包括具有多个像素单元的像素单元阵列,其中每个所述像素单元包括:
光电感应区,用于感应光强变化而生成相应的图像电荷;
控制晶体管,其耦接到所述光电感应区,用于控制或调整所述图像电荷从所述光电感应区的输出;以及
浮动栅极,其位于所述控制晶体管中,用于存储电荷,并基于所存储的电荷来补偿所述像素单元的光强感应特性。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述控制晶体管是转移晶体管,其用于控制所述图像电荷从所述光电感应区转移到像素单元的浮动扩散区。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述控制晶体管是溢出控制晶体管,其用于将过量的图像电荷从所述光电感应区输出到像素单元的溢出漏区。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述浮动栅极的至少部分区域上具有控制栅极,其通过介电层与所述浮动栅极相互隔离,用于加载控制信号,并且所述浮动栅极响应于所述控制信号的不同而改变所存储的电荷。
5.一种图像传感器,其特征在于,包括:
像素单元阵列,其具有多个像素单元,其中每个像素单元用于感应光强变化而输出相应的图像电荷;
存储模块,其位于所述像素单元阵列的芯片外,用于存储所述像素单元阵列中的每个像素单元的光强感应特性;以及
控制模块,其用于基于所存储的光强感应特性来补偿每个像素单元输出的图像电荷。
6.根据权利要求5所述的图像传感器,其特征在于,还包括:检测模块,其用于检测所述像素单元阵列中每个像素单元的光强感应特性,并将所检测的光强感应特性提供给所述存储模块。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的