[实用新型]电极面分区域布线的太阳能电池片结构有效
申请号: | 201220245448.6 | 申请日: | 2012-05-25 |
公开(公告)号: | CN202678323U | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 钱腾达;严锦春;顾锡淼 | 申请(专利权)人: | 嘉兴优太太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 314050 浙江省嘉兴市嘉兴市南湖*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 区域 布线 太阳能电池 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池,具体地,涉及电极面分区域布线的太阳能电池片结构。
背景技术
光伏板组件是一种暴露在阳光下便会产生直流电的发电装置,基本上主要以半导体物料(例如硅)制成的固体光伏电池组成,包括P型半导体和N型半导体。P型半导体(P指positive,带正电的):由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素组成,会在半导体内部形成带正电的空穴;N型半导体(N指negative,带负电的):由单晶硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成,会在半导体内部形成带负电的自由电子。
在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质(离子)是固定不动的。N型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合,载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区。P型半导体一边的空间电荷是负离子,N型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场,这电场阻止载流子进一步扩散,达到平衡。
当光的频率超过某一极限频率时,受光照射的太阳能电池板表面立即就会逸出光电子,发生光电效应。当在太阳能电池板外面加一个闭合电路,加上正向电源,这些逸出的光电子全部到达阳极便形成光电流。
现有技术中的电极图案中的副栅线在硅片上等密度分布,不能适应硅片方阻的不均匀性,不利于光电转换效率的提高。
实用新型内容
针对现有技术中的缺陷,本实用新型的目的是提供一种电极面分区域布线的太阳能电池片结构。
根据本实用新型的一个方面,提供一种电极面分区域布线的太阳能电池片结构,包括硅片、以及设置在所述硅片上的两条主栅线和多条副栅线,所述主栅线连接所述副栅线,所述硅片上包括中央区域和外围区域,其中,所述中央区域被包围在所述外围区域中,所述中央区域的宽度等于两条所述主栅线之间的间隔,所述中央区域中副栅线的分布密度大于所述外围区域中副栅线的分布密度。
优选地,所述中央区域为矩形区域。
优选地,所述中央区域的宽长比等于所述硅片的宽长比。
优选地,还包括外框栅线,其中,所述外框栅线呈环状。
优选地,所述外框栅线位于所述外围区域内。
优选地,所述外框栅线沿所述硅片的边缘延伸。
本实用新型的副栅线在不同区域内的分布密度是不同的,中央区域的密度大于外围区域副栅线的密度,从而可以适应于片内方阻的不均匀性,从而有助于光电转换效率的提高。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1示出根据本实用新型的电极面分区域布线的太阳能电池片结构的结构示意图。
具体实施方式
根据本实用新型提供的电极面分区域布线的太阳能电池片结构,包括硅片1、以及设置在所述硅片1上的两条主栅线4和多条副栅线,所述主栅线连接所述副栅线,所述硅片上包括中央区域2和外围区域3。
其中,所述中央区域2被包围在所述外围区域3中,所述中央区域2的宽度等于两条所述主栅线4之间的间隔,所述中央区域中副栅线的分布密度大于所述外围区域中副栅线的分布密度。本实用新型的副栅线在不同区域内的分布密度是不同的,中央区域的密度大于外围区域副栅线的密度,从而可以适应于片内方阻的不均匀性,从而有助于光电转换效率的提高。
更为具体地,所述中央区域2为矩形区域,如图1所示,所述中央区域2的宽长比等于所述硅片1的宽长比。进一步具体地,根据本实用新型提供的电极面分区域布线的太阳能电池片结构还包括外框栅线5,其中,所述外框栅线呈环状。优选地,所述外框栅线位于所述外围区域内;优选地,所述外框栅线沿所述硅片的边缘延伸。
以上对本实用新型的具体实施例进行了描述。需要理解的是,本实用新型并不局限于上述特定实施方式,本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改,这并不影响本实用新型的实质内容。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嘉兴优太太阳能有限公司,未经嘉兴优太太阳能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220245448.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的