[实用新型]1064nm半导体激光器有效

专利信息
申请号: 201220247337.9 申请日: 2012-05-30
公开(公告)号: CN202568451U 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: 励娟青 申请(专利权)人: 励娟青
主分类号: A61B18/28 分类号: A61B18/28
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 315700*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 1064 nm 半导体激光器
【权利要求书】:

1.一种1064nm半导体激光器,其特征在于包括:

由激光电源(1)、电流反馈电阻(2)、半导体激光器(3)、半导体制冷器(4)、散热器(5)和侧向发射光纤(6)组成,其特征在于:

所述半导体激光器波长为1064nm,激光电源(1)通过电流反馈电阻(2)与半导体激光器(3)相连,构成反馈回路,半导体激光器(3)的输出端与侧向发射光纤(6)连接;

所述半导体激光器(3)的电流达到激光器阈值时,激光二极管发射的激光能量为1064nm,最高功率达150w;

所述半导体激光器(3)内部由激光二极管、准直系统和耦合聚焦系统组成;

所述半导体制冷器(4)贴放在半导体激光器(3)和散热器(5)之间。

2.根据权利要求1所述的1064nm半导体激光器,其特征在于:所述半导体激光器(3)还带有温度探头、红光瞄准光发射装置以及光纤连锁报警装置。

3.根据权利要求1所述的1064nm半导体激光器,其特征在于:所述半导体激光器(3)的数值孔径为0.22NA。

4.根据权利要求1所述的1064nm半导体激光器,其特征在于:所述侧向发射光纤(6)的芯径为600~800μm。

5.根据权利要求1-4中任一项权利要求所述的1064nm半导体激光器,其特征在于:所述激光二极管的温度控制在20~35℃之间,设置有4块半导体制冷器(4)。

6.根据权利要求5所述的1064nm半导体激光器,其特征在于:所述半导体制冷器(4)与散热器(5)连接。

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