[实用新型]1064nm半导体激光器有效
申请号: | 201220247337.9 | 申请日: | 2012-05-30 |
公开(公告)号: | CN202568451U | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 励娟青 | 申请(专利权)人: | 励娟青 |
主分类号: | A61B18/28 | 分类号: | A61B18/28 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315700*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 1064 nm 半导体激光器 | ||
1.一种1064nm半导体激光器,其特征在于包括:
由激光电源(1)、电流反馈电阻(2)、半导体激光器(3)、半导体制冷器(4)、散热器(5)和侧向发射光纤(6)组成,其特征在于:
所述半导体激光器波长为1064nm,激光电源(1)通过电流反馈电阻(2)与半导体激光器(3)相连,构成反馈回路,半导体激光器(3)的输出端与侧向发射光纤(6)连接;
所述半导体激光器(3)的电流达到激光器阈值时,激光二极管发射的激光能量为1064nm,最高功率达150w;
所述半导体激光器(3)内部由激光二极管、准直系统和耦合聚焦系统组成;
所述半导体制冷器(4)贴放在半导体激光器(3)和散热器(5)之间。
2.根据权利要求1所述的1064nm半导体激光器,其特征在于:所述半导体激光器(3)还带有温度探头、红光瞄准光发射装置以及光纤连锁报警装置。
3.根据权利要求1所述的1064nm半导体激光器,其特征在于:所述半导体激光器(3)的数值孔径为0.22NA。
4.根据权利要求1所述的1064nm半导体激光器,其特征在于:所述侧向发射光纤(6)的芯径为600~800μm。
5.根据权利要求1-4中任一项权利要求所述的1064nm半导体激光器,其特征在于:所述激光二极管的温度控制在20~35℃之间,设置有4块半导体制冷器(4)。
6.根据权利要求5所述的1064nm半导体激光器,其特征在于:所述半导体制冷器(4)与散热器(5)连接。
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