[实用新型]倍频晶体加热装置有效
申请号: | 201220249433.7 | 申请日: | 2012-05-30 |
公开(公告)号: | CN202602075U | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 陆高银;杨智勇 | 申请(专利权)人: | 上海奥通激光技术有限公司 |
主分类号: | H01S3/042 | 分类号: | H01S3/042 |
代理公司: | 上海宝鼎专利代理有限公司 31222 | 代理人: | 龚峥嵘 |
地址: | 200240 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 倍频 晶体 加热 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种激光装置,尤其涉及一种倍频晶体的加热装置。
背景技术
倍频晶体在使用的过程中常常表面产生灰迹,灰迹会降低倍频晶体的效率。现有倍频晶体加热的方式为半导体接触式,由外到内热传导,一旦光从晶体中心通过,则只能通过周边温升传导至中心地带,而不能直接将半导体贴合在倍频晶体的中心位置加热,否则会影响光路传递。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种非接触式、内外均匀加热的倍频晶体加热装置,光脉冲加热时间和温度可控从而提高倍频晶体的效率。
本实用新型为解决上述技术问题采用的技术方案如下:
一种倍频晶体加热装置,倍频晶体固定在隔热架上,在所述的隔热架和倍频晶体之间在倍频晶体表面设置有温度传感器,所述的加热装置设置有脉冲光发生器和控制器,所述的控制器实时监测所述温度传感器探测的倍频晶体的温度、并且控制所述脉冲光发生器发生加热脉冲光,所述的脉冲光发生器发射出的加热脉冲光穿透所述的倍频晶体。
上述加热装置的倍频晶体加热方法如下,所述的脉冲光发生器发射的脉冲光穿透所述的倍频晶体、给倍频晶体加热,所述的温度传感器探测倍频晶体的温度,所述的控制器实时监测所述温度传感器探测的倍频晶体的温度,当倍频晶体温度高于设定值时所述控制器向所述脉冲光发生器发出停止脉冲光发生的指令,当倍频晶体温度低于设定值时所述控制器向所述脉冲光发生器发出脉冲光发生指令,对倍频晶体进行加热,保证倍频晶体在设定的温度下通过工作激光。
本实用新型的倍频晶体加热装置及其方法,巧妙地通过脉冲光加热的方式实现倍频晶体非接触式加热,清洁无污染,内外加热均匀、稳定,光脉冲加热时间和温度可控,不影响光的传递路线,从而有效地提高了倍频晶体的效率。
附图说明
为让本实用新型的上述目的、特征和优点能更明显易懂,以下结合附图对本实用新型的具体实施方式作详细说明,其中:
图1是本实用新型的倍频晶体加热装置的结构示意图。
图中:
1、隔热架 2、倍频晶体
3、温度传感器 4、控制器
5、脉冲光发生器。
具体实施方式
图1示出了一种倍频晶体加热装置,倍频晶体2固定在隔热架1上,在所述的隔热架1和倍频晶体2之间在倍频晶体2表面设置有温度传感器3,所述的加热装置设置有脉冲光发生器5和控制器4,所述的控制器4实时监测所述温度传感器3探测的倍频晶体2的温度、并且控制所述脉冲光发生器5发生加热脉冲光,所述的脉冲光发生器5发射出的加热脉冲光穿透所述的倍频晶体2。
上述加热装置的倍频晶体加热方法如下:
所述的脉冲光发生器5发射的脉冲光穿透所述的倍频晶体2、给倍频晶体2加热,所述的温度传感器3探测倍频晶体2的温度,所述的控制器4实时监测所述温度传感器3探测的倍频晶体2的温度,当倍频晶体2温度高于设定值时所述控制器4向所述脉冲光发生器5发出停止脉冲光发生的指令,当倍频晶体2温度低于设定值时所述控制器4向所述脉冲光发生器5发出脉冲光发生指令,对倍频晶体2进行加热,保证倍频晶体2在设定的温度下通过工作激光。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海奥通激光技术有限公司,未经上海奥通激光技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220249433.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:智能变电站的尾缆尾纤盘线结构
- 下一篇:一种手动液压钳