[实用新型]一种晶体硅光伏组件的绝缘部改进结构有效
申请号: | 201220259166.1 | 申请日: | 2012-06-04 |
公开(公告)号: | CN202585479U | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 颉萍;孙明亮;张云山;盛雯婷;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 天威新能源控股有限公司;保定天威集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 谭新民 |
地址: | 610000 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 硅光伏 组件 绝缘 改进 结构 | ||
1.一种晶体硅光伏组件的绝缘部改进结构,包括从下往上依次叠放的钢化玻璃(1)、EVA底板(2)、EVA面板(6)、以及背板(7),在EVA底板(2)上安装有串联的电池(3),在中间两个电池(3)上的引出线上连接有汇流条(8),其特征在于:在汇流条重叠的部位安装有绝缘板。
2.根据权利要求1所述的一种晶体硅光伏组件的绝缘部改进结构,其特征在于:所述绝缘板包括隔离EVA板(4)和隔离背板(5),在隔离EVA板(4)和隔离背板(5)上开有两条互不相交的缝隙(9),隔离EVA板(4)与EVA底板(2)粘接,隔离背板(5)和EVA面板(6)粘接。
3.根据权利要求2所述的一种晶体硅光伏组件的绝缘部改进结构,其特征在于:所述隔离背板(5)采用氟塑料膜制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的