[实用新型]LDO保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种保护电路，特别是涉及一种用于保护LDO芯片的保护电路。

背景技术

随着半导体工艺技术的提高以和便携式电子产品的迅猛发展，电源IC（集成电路）有了长足的进展。电源IC产品主要包括线性稳压器（LDO）、开关电源、AC/DC稳压器（交流/直流稳压器）以及功率因数校正（PFC）预稳器等。而其中线性稳压器是最常用的电源管理芯片，由于线性稳压器使用方便、体积小、性能良好和可靠性高等优点，所以在电源管理市场中占有很大比重。

所以目前广泛的电源管理芯片中，LDO芯片使用最广泛。LDO芯片的结构是一个微型的片上系统，其根据负载电阻的变化情况调节自身的内电阻，从而保证稳压输出端的电压不变。通常LDO芯片是由具有极低的导通电阻、肖特基二极管、分压电阻、过流保护、过温保护、精密基准源、差分放大器、延迟器和POK（Power OK，电源正常）MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）等专用晶体管电路构成，并集成于一个芯片上。

由于LDO芯片本身的特性，LDO芯片中存在寄生二极管，所述寄生二极管的产生与具体生产工艺有关，NMOS（N型场效应晶体管）要求衬底电平低于源极，PMOS（P型场效应晶体管）要求衬底高于源极，通常下情况下将衬底与源极在管子内部连接在一起，以N沟道增强型MOS管（场效应晶体管）为例，当栅源极间加上一个正向电压，既当Vgs>0时，则在栅极和衬底之间的绝缘层中便产生一个垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场，这个电场能排斥空穴而吸引电子,因而栅极区附近的P型衬底的空穴排斥，留下不能移动的受主离子（负离子），从而形成耗尽层，同时P型衬底中的少子电子被吸引到衬底表面，所以当Vgs越大，则吸引到P型衬底表面层的电子越多，当Vgs达到某一数值时，这些电子在栅极附近表面便形成一个N型薄层，并且与衬底中二个N+区相连通，因而在漏源极之间形成N型导电沟道，所以N型导电沟道与P型衬底形成一个PN结，即漏极和源极之间形成一个PN结，从而也就导致了漏源极之间产生一个寄生二极管。

所以当LDO芯片的输出端电压大于LDO芯片的输入端电压时，或者LDO芯片的输入端短路时，电流就会通过寄生二极管从LDO芯片的输出端回流至LDO芯片的输入端，从而损伤LDO芯片中其他的器件，导致LDO芯片内的整个系统不能正常工作，严重时，甚至会引起火灾发生。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是为了克服现有技术中LDO芯片中输出端电流回流至输入端导致的LDO芯片损毁的缺陷，提供一种LDO保护电路，通过对LDO的输出端进行放电，从而抑制了LDO芯片中输出端电流回流至输入端的情况的出现。

本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：

本实用新型提供了一种LDO保护电路，其特点是所述LDO保护电路包括：一放电回路，用于对一LDO的输出端放电；

其中当所述LDO的输出端的电压大于所述LDO的输入端的电压时，所述放电回路对所述LDO的输出端放电。

较佳地，所述LDO的输入端通过一去耦电容接地。所述去耦电容为现有技术中用于去除LDO输入端的输入电源中的毛刺和噪声的常用手法，所以此处不再详细地赘述。

优选地，所述放电回路包括一开关单元，所述开关单元串接于所述LDO的输入端和输出端之间，当所述LDO的输出端的电压大于所述LDO的输入端的电压时，所述开关单元在所述LDO的输入端和输出端之间构成导电回路。此时所述开关单元利用所述去耦电容来接地，从而将LDO输出端多余的电能释放至地。

较佳地，所述开关单元为一二极管，所述LDO的输出端与所述二极管的阳极电连接，所述LDO的输入端与所述二极管的阴极电连接。利用二极管的开关特性，当LDO输出端的电压大于LDO输入端的电压时，所述二极管导通，而当LDO输出端的电压小于LDO输入端的电压时，所述二极管断开，所以实现释放了LDO输出端相对于LDO输入端多余的电能。

较佳地，所述去耦电容为电解电容。采用电解电容时，所以去耦电容可以在PCB板（印刷电路板）上设置的离LDO远一些。

较佳地，所述LDO的输出端通过一滤波电容接地。所述滤波电容为现有技术中用于去除LDO输出端的电压波纹的常用手法，所以此处不再详细地赘述。

较佳地，所述滤波电容为电解电容。同理此时滤波电容也可以在PCB板上设置的离LDO远一些。

本实用新型的积极进步效果在于：