[实用新型]薄膜晶体管阵列基板、显示面板、显示装置有效
| 申请号： | 201220261684.7 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN202601621U | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 刘翔;李禹奉 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;赵爱军 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：
由第一金属氧化物层形成的有源层；
由第二金属氧化物层形成的过渡层，过渡层的导电率比有源层的导电率大，过渡层包括源电极过渡层和漏电极过渡层；
由源漏金属层形成的源电极、漏电极；
其中，源电极过渡层位于所述有源层和所述源电极之间，所述漏电极过渡层位于所述有源层和所述漏电极之间。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述过渡层包括有至少两个金属氧化物层，从靠近所述有源层到远离所述有源层的方向上，金属氧化物层的导电率依次增大。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，具体包括：
基板；
位于所述基板上由栅金属层形成的栅电极和栅极扫描线；
位于形成有所述栅电极和栅极扫描线的基板上的栅绝缘层；
位于所述栅绝缘层上的所述由第一金属氧化物层形成的有源层；
位于所述有源层上的所述由第二金属氧化物层形成的源电极过渡层和漏电极过渡层；
分别位于所述源电极过渡层和漏电极过渡层上的所述由所述源漏金属层形成的所述源电极、所述漏电极和数据线；
位于形成有所述源电极、漏电极和数据线的基板上的包括有接触过孔的钝化层；
位于所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述接触过孔与所述漏电极相连接。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述过渡层的材料为非晶IGZO。
5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述有源层的材料为非晶IGZO、HIZO、IZO、a-InZnO、ZnO:F、In2O3:Sn、In2O3:Mo、Cd2SnO4、ZnO:Al、TiO2:Nb或Cd-Sn-O。
6.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。
7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。
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