[实用新型]直流磁控装置转速探测装置及物理气相沉积系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种直流磁控装置转速探测装置及物理气相沉积系统。

背景技术

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)是指在真空条件下，采用物理方法，将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体或等离子体在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积的主要方法有：真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。物理气相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域，可制备具有耐磨、耐腐饰、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层。

物理气相沉积系统通常采用真空蒸镀原理或者溅射镀膜原理或者电弧等离子体镀膜原理进行薄膜沉积。在应用真空蒸镀原理时，通常会使用直流磁控装置。目前，在物理气相沉积系统中，如需对直流磁控装置的转速进行测试，需要将物理气相沉积系统停下来，打开盖子去除直流磁控自锁装置，然后计算单位时间内直流磁控装置的转速（直流磁控装置的磁体的转速），此种方法无法实时监控直流磁控装置的转速是不是偏离规定范围。一旦直流磁控装置的转速超出规定范围，会引起产品报废和良率下降。

因此，如何提供一种可以实现实时监控的直流磁控装置转速探测装置是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种直流磁控装置转速探测装置，可以实时监控直流磁控装置的转速，避免因直流磁控装置转速超出规定范围而引起产品报废和良率下降问题。

为了达到上述的目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种直流磁控装置转速探测装置，用于探测直流磁控装置中的磁体的转速，包括磁体转速侦测器、微处理器以及电池，所述磁体转速侦测器相对所述直流磁控装置的磁体设置，所述磁体转速侦测器与所述微处理器连接，所述电池与所述微处理器连接。

优选的，在上述的直流磁控装置转速探测装置中，所述电池是太阳能电子板。

优选的，在上述的直流磁控装置转速探测装置中，所述磁体转速侦测器采用强磁感应切抗干扰的传感器。

优选的，在上述的直流磁控装置转速探测装置中，还包括整形器，所述磁体转速侦测器经所述整形器与所述微处理器连接，所述整形器与所述电池连接。

本实用新型还公开了一种物理气相沉积系统，包括直流磁控装置，还包括如上所述的直流磁控装置转速探测装置。

优选的，在上述的物理气相沉积系统中，所述电池是太阳能电子板。

优选的，在上述的物理气相沉积系统中，所述磁体转速侦测器采用强磁感应切抗干扰的传感器。

优选的，在上述的物理气相沉积系统中，还包括整形器，所述磁体转速侦测器经所述整形器与所述微处理器连接，所述整形器与所述电池连接。

本实用新型提供一种的直流磁控装置转速探测装置及物理气相沉积系统，通过设置磁体转速侦测器、微处理器以及电池，所述磁体转速侦测器相对所述直流磁控装置的磁体设置，所述磁体转速侦测器与所述微处理器连接，所述电池与所述微处理器连接，磁体转速侦测器用于检测磁体的转速并将检测到的磁体的转速信息输送给微处理器，微处理器分析接收到的转速信息，如果超出正常范围就会发送报警信息，以便操作人员及时处理，因而，本实用新型通过对直流磁控装置转速（即直流磁控装置的磁体的转速）的实时监控，可以避免因直流磁控装置转速超出规定范围而引起产品报废，从而有效提高产品良率。

附图说明

本实用新型的直流磁控装置转速探测装置及物理气相沉积系统由以下的实施例及附图给出。

图1为本实用新型直流磁控装置转速探测装置一实施例工作原理示意图。

图2为为本实用新型直流磁控装置转速探测装置及物理气相沉积系统一实施例的结构示意图。

图中，1-磁体转速侦测器、2-微处理器、3-电池、4-整形器、5-磁体、6-直流磁控装置。

具体实施方式

以下将对本实用新型的直流磁控装置转速探测装置及物理气相沉积系统作进一步的详细描述。

下面将参照附图对本实用新型进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。