[实用新型]一种大功率半导体模块的引出电极结构有效
| 申请号： | 201220273249.6 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN202712169U | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 管功湖;董建平;梁思平 | 申请（专利权）人： | 临海市志鼎电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49 |
| 代理公司： | 台州市方圆专利事务所 33107 | 代理人： | 蔡正保;张智平 |
| 地址： | 317000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 半导体 模块 引出 电极 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种大功率半导体模块的引出电极结构，包括用于连接半导体芯片的短直边（3）和用于连接外接电路的长直边（1），短直边（3）和长直边（1）连为一体，其特征在于，所述的长直边（1）上具有一段弯曲呈弧形的弧形边（2）。
2.根据权利要求1所述的大功率半导体模块的引出电极结构，其特征在于，所述的弧形边（2）的厚度比长直边（1）的厚度略小。
3.根据权利要求1或2所述的大功率半导体模块的引出电极结构，其特征在于，所述的短直边（3）与长直边（1）相互垂直呈L形，上述的弧形边（2）向短直边（3）侧凸出。
4.根据权利要求3所述的大功率半导体模块的引出电极结构，其特征在于，所述的弧形边（2）位于长直边（1）的中部且靠近短直边（3）。
5.根据权利要求1或2所述的大功率半导体模块的引出电极结构，其特征在于，所述的弧形边（2）位于长直边（1）的中部且靠近短直边（3）。
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