[实用新型]新型抗辐射摄像装置有效
申请号: | 201220273592.0 | 申请日: | 2012-06-12 |
公开(公告)号: | CN202615807U | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 张子方;朱小华;曹俊灵;卢希美;高旭聪 | 申请(专利权)人: | 天津市联大通讯发展有限公司 |
主分类号: | G21F3/00 | 分类号: | G21F3/00;G21F1/08;G21F1/06;H04N5/225 |
代理公司: | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人: | 王小静 |
地址: | 300192 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 新型 辐射 摄像 装置 | ||
技术领域
本实用新型属于视频监视装置领域,涉及一种新型抗辐射摄像装置,尤其适用于监视核电站的燃料厂房及核岛内设备的运行情况。
背景技术
核电是新一代的清洁能源,但其安全性也是至关重要,一旦发生泄漏,其危害极大。核辐射环境是目前存在的最恶劣的环境之一,在核辐射场内工作的仪器必须具有较强的耐辐射防辐射功能,抗辐射摄像装置能将处于重辐射场内的事物实时显示在电视屏幕上供工作人员观察,它能够帮助核电站平时安全检验,事故时协助排险,成为核电站必要组件之一。 早期,在核反应堆内的摄像装置的大部分零部件只能采用普通材料,这样的摄像装置在γ射线的强烈辐照下,其性能很快被破坏,使用寿命很短。由耐辐射材料组成并可以在辐射场中工作较长时间的抗辐射摄像装置优势明显。而目前已有技术主要是浇铸铅层,所以形状一般局限为规则形状,导致体积大;复杂形状时,则不易加工。
发明内容
本实用新型所要解决的问题在于,克服现有技术的不足,提供一种新型抗辐射摄像装置,采用在抗辐射重点屏蔽装置的圆筒一内部充填铅珠,重点屏蔽γ射线、中子对摄像机CMOS及电路微处理器产生的危害。本实用新型的结构整体呈一圆筒状,表面没有任何装置、零件和标准件,适合在核环境条件下使用,同时整体结构密封合理,具有较高的防水性能,防护等级可达IP68。
本实用新型解决其技术问题是采取以下技术方案实现的:
依据本实用新型提供的一种新型抗辐射摄像装置,包括抗辐射重点屏蔽装置和高辐射屏蔽加护装置,所述的抗辐射重点屏蔽装置包括ZF6铅玻璃一、机芯、圆筒一、后端盖一、电缆接头,ZF6铅玻璃一由外压螺纹环一和玻璃定位螺纹环一压紧固定,通过螺纹连接到圆筒一的一端,圆筒一的另一端螺纹连接后端盖一,后端盖一连接电缆接头,电缆接头与电缆连接,机芯定位在玻璃定位螺纹环一之后,在圆筒一的内部充填有铅珠;所述的高辐射屏蔽加护装置包括ZF6铅玻璃二、圆筒二、后端盖二,ZF6铅玻璃二由外压螺纹环二和玻璃定位螺纹环二压紧固定,通过螺纹连接到圆筒二的一端,圆筒二的另一端螺纹连接后端盖二;圆筒一上设有圆柱销一、圆柱销二分别与圆筒二内的销槽一、销槽二定位并通过螺纹环压紧。
本实用新型解决其技术问题是采取以下技术方案进一步实现:
前述的铅珠外涂有中子屏蔽层,中子屏蔽层外涂有绝缘层;
前述的铅珠的形状是球状体,或四面体,或六面体,或圆柱体;
前述的圆筒二由内圆筒、外圆筒及浇铸在内圆筒与外圆筒之间的铅层组成;
前述的机芯由摄像机和电路板组成。
本实用新型与现有技术相比具有显著的优点和有益效果:
本实用新型采用在抗辐射重点屏蔽装置的圆筒一内部充填铅珠,重点屏蔽γ射线、中子对摄像机CMOS及电路微处理器产生的危害,铅珠直径可根据使用情况进行调整确定。且其形状可以进一步推广至球以外的多种形状,如四面体、六面体或其他多面体。虽然充填铅珠有缝隙,但缝隙不会在一条直线上,就能起到衰减射线能量的屏蔽效果,与铅板相比,针对狭小或不规则的空间内部填充屏蔽,使用铅珠能够做到形状自适应、且很容易增加屏蔽厚度,易于批量制作、装入、拆出都很方便,且无需专门设计固定方式(如铅板的内外衬板等)。高辐射屏蔽加护装置的内圆筒、外圆筒采用不锈钢材质,不锈钢材质具有较强的防酸、碱、防氧化及防盐雾功能;其表面加工成镜面抛光形式,内浇铸高密度纯铅,具有较强的防核辐射和核污染功能。前端摄像窗口的玻璃为ZF6铅玻璃,此款玻璃可以耐受γ射线的辐照而不发生普通玻璃会很快染色发黑而失去透光能力的现象,还可吸收通过玻璃的γ射线,使其对摄像机COMS的损伤降低。抗辐射重点屏蔽装置可方便地从后端装入高辐射屏蔽加护装置内,当摄像机CMOS达到使用年限时,便于更换CMOS,保证新型抗辐射摄像装置在核岛内的持续使用。本实用新型在结构上采取螺纹连接,无外露易掉落部件,成本造价较低,整体结构密封合理,具有较高的防水性能,防护等级可达IP68,适合核环境条件下使用。
本实用新型的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
附图说明
图1为本实用新型的结构剖面示意图;
图2为本实用新型的抗辐射重点屏蔽装置示意图;
图3为本实用新型的高辐射屏蔽加护装置示意图;
图4为本实用新型的铅珠的剖面示意图。
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