[实用新型]晶圆键合系统有效
申请号: | 201220275234.3 | 申请日: | 2012-06-12 |
公开(公告)号: | CN202601579U | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 王云翔;夏洋;李超波 | 申请(专利权)人: | 苏州美图半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨林洁 |
地址: | 215123 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆键合 系统 | ||
1.一种晶圆键合系统,其特征在于,所述晶圆键合系统包括:
键合腔,所述键合腔内为真空;
压头构件,所述压头构件位于所述键合腔内,所述压头构件包括相互平行的第一压头与第二压头;
柔性构件,所述柔性构件包括与所述键合腔隔离的气体收容腔,所述气体收容腔包括入气端以及出气端,所述第一压头仅固定于所述出气端以密封所述出气端;
充压构件,所述充压构件连接所述柔性构件的入气端以调整所述气体收容腔内压强。
2.如权利要求1所述的晶圆键合系统,其特征在于,所述柔性构件沿竖直方向延伸,所述第一压头沿水平方向延伸。
3.如权利要求1所述的晶圆键合系统,其特征在于,所述柔性构件固定于所述键合腔侧壁。
4.如权利要求3所述的晶圆键合系统,其特征在于,所述键合腔侧壁设置有第一通孔,所述柔性构件覆盖所述第一通孔,所述第一通孔形成所述柔性构件入气端。
5.如权利要求1所述的晶圆键合系统,其特征在于,所述柔性构件具有弹性并具有形变极限位置。
6.如权利要求5所述的晶圆键合系统,其特征在于,所述柔性构件包括波纹管。
7.如权利要求1所述的晶圆键合系统,其特征在于,所述充压构件包括充气装置以及排气装置,所述充气装置与排气装置分别对所述气体收容腔进行充气与排气以调控气体收容腔内压强。
8.如权利要求1所述的晶圆键合系统,其特征在于,所述晶圆键合系统包括连接所述第二压头的传动构件,所述传动构件带动所述第二压头朝向或远离所述第一压头移动。
9.如权利要求8所述的晶圆键合系统,其特征在于,所述键合腔侧壁包括第二通孔,所述第二压头下方延伸出隔离构件,所述隔离构件覆盖所述第二通孔,所述隔离构件包括与所述键合腔隔离的外接空腔,所述外接空腔与所述第二通孔贯通,所述传动构件穿置于所述外接空腔与所述第二通孔。
10.如权利要求9所述的晶圆键合系统,其特征在于,所述隔离构件沿竖直方向延伸。
11.如权利要求9所述的晶圆键合系统,其特征在于,所述隔离构件具有弹性并具有形变极限位置。
12.如权利要求11所述的晶圆键合系统,其特征在于,所述隔离构件包括波纹管。
13.如权利要求1至12中任一项所述的晶圆键合系统,其特征在于,所述第一压头与第二压头均包括压板层、及加热层、及隔热层、及散热层、及法兰层。
14.如权利要求13所述的晶圆键合系统,其特征在于,所述晶圆键合系统包括连接所述第一压头以及第二压头中加热层的加热构件,所述加热构件配合所述加热层加热位于所述第二压头上的晶圆。
15.如权利要求1至12中任一项所述的晶圆键合系统,其特征在于,所述晶圆键合系统包括连接所述键合腔的温度控制器,以显示和控制所述键合腔内温度。
16.如权利要求1至12中任一项所述的晶圆键合系统,其特征在于,所述晶圆键合系统包括连接所述压板层的高压构件,所述高压构件对所述压板层供电。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造