[实用新型]一种低功耗无源的软开关电路有效

专利信息
申请号: 201220277853.6 申请日: 2012-06-13
公开(公告)号: CN202663298U 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: 杨祎巍;吴朝晖;李斌;何文威 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H02M3/155 分类号: H02M3/155
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 何淑珍
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 功耗 无源 开关电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及交流-直流/直流-直流转换过程中的软开关技术,具体涉及低功耗无源的软开关电路。 

背景技术

所谓“软开关”是与“硬开关”相对应的。硬开关是在控制电路的开通和关断过程中,电压和电流的变化剧烈,产生较大的开关损耗和噪声,开关损耗随着开关频率的提高而增加,使电路效率下降;开关噪声给电路带来严重的电磁干扰, 影响周边电子设备的工作。软开关是在硬开关电路的基础上,增加了电感、电容等谐振器件, 构成辅助换流网络, 在开关过程前后引入谐振过程,开关在其两端的电压为零时导通;或使流过开关的电流为零时关断, 使开关条件得以改善, 降低传统硬开关的开关损耗和开关噪声, 从而提高了电路的效率。这种开关方式为电源小型化、高效率创造了条件。

软开关包括软开通和软关断。理想的软开通过程是:电压先下降到零后, 电流再缓慢上升到通态值, 所以开通时不会产生损耗和噪声,软开通的开关称之为零电压开关。理想的软关断过程是:电流先下降到零后,电压再缓慢上升到通态值,所以关断时不会产生损耗和噪声,软关断的开关称之为零电流开关。

自上世纪70 年代以来,国内外电力电子和电源技术领域不断研制开发高频软开关技术,到目前为止,已提出了多种不同的软开关拓扑结构,实际应用也取得了一系列成功。其中,无源无损缓冲电路是实现软开关的重要技术之一,在直流开关电源中也得到了广泛的应用。本实用新型即为一种低功耗无源的零电流和零电压软开关电路。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种低功耗无源的软开关电路,该电路位于输入电路和输出电路之间,用于提高电路的效率。

本实用新型的一种低功耗无源的软开关电路,包括输入电路、软开关电路和输出电路,所述软开关电路级联在输入电路和输出电路的桥臂之间。

优选的,所述输入电路包括MOS管;所述软开关电路包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一电容、第二电容、第一电感和第二电感;所述输出电路包括第五二极管、第三电感、第三电容和负载电阻。

优选的,所述MOS管的源极与第一二极管的阴极相连,第一二极管的阴极与第一电感的一端相连,第一二极管的阳极与第二二极管的阳极相连,第一二极管的阳极与第一电容的一端相连,第一二极管的阳极与第二电感的一端相连,第二二极管的阴极与第一电感的另一端相连,第二二极管的阴极与第二电容的一端相连,第三二极管的阴极与第二电感的另一端相连,第三二极管的阳极与第二电容的另一端相连,第三二极管的阳极与第四二极管的阴极相连,第四二极管的阳极与第一电容的另一端相连,MOS管的漏极与输入端正极相连,输入端负极与第四二极管的阳极相连。

优选的,所述输出电路的第五二极管的阳极与第四二极管的阳极、第三电容的一端、负载电阻的一端均相连,第五二极管的阴极与第三电感的一端、第一电感的另一端均相连,第三电感的另一端与第三电容的另一端、负载电阻的另一端均相连。

优选的,所述第一电感L1的电感值为:

(1),

其中,t1的取值为MOS管(T)开关周期T的2%-9%,Vs是MOS管(T)上的电压均值,Is,max是流过MOS管(T)的最大电流。

优选的,第一电感L1的取值,第一电容C1的电容值满足:

(2),

其中,k是大于0且小于1的数,Is是流过MOS管(T)电流的均值,Is的最小值Is,min小于Is,max的5%,k满足式(3):

(3)。

优选的,第一电容C1和第二电容C2的电容值满足:

(4),

第一电感L1的取值、第一电容C1的取值和第二电感L2的取值满足:

(5),

其中,是MOS管(T)电流的纹波大小。

与现有技术相比,本实用新型具有如下优点:本实用新型提出的一种低功耗无源的软开关电路成本低、体积小、结构简单、效率高、功耗低。该电路所包括的电容、电感和二极管都是比较容易获得的,而且成本较低;元件数并不多,整个电路的体积小,结构简单;该零电流和零电压软开关电路在任意一段时间,电流或者电压为0,达到效率高和功耗低的作用。

附图说明

图1低功耗无源的软开关电路原理图。

具体实施方式

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220277853.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top