[实用新型]一种新型硅片承载装置有效
申请号: | 201220279670.8 | 申请日: | 2012-06-14 |
公开(公告)号: | CN202651085U | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 姜林勇 | 申请(专利权)人: | 浙江鸿禧光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 314206 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 硅片 承载 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及晶硅太阳能电池制造领域,具体地涉及到一种新型硅片的承载装置。
背景技术
目前,在晶硅太阳能电池片的丝网印刷工序中,经过三道印刷、烘干及烧结处理,形成良好的欧姆接触,达到收集载流子和电流的作用。在实际生产过程中,经过第一道背电极和第二道背电场的印刷和烘干处理,在第三道正电极印刷前,经常会出现由于设备和前道印刷异常而导致要把硅片取下。通常情况下,丝网印刷三道上料前取出的硅片摆放方式主要有两种:正反硅片叠放和放在两边开槽的承载盒里。但是,上述的两种摆放方式会出现背电场印刷的铝浆因摩擦脱落而污染硅片及镀膜面;硅片两边印刷的铝浆容易因摩擦到承载盒的卡槽而间接污染硅片边缘及镀膜面。因此,严重影响电池片的优质率,增加漏电率,增加生产成本,降低生产效率。
发明内容
本实用新型涉及的目的是提供一种能够有效地处理丝网印刷第三道上料前取下的硅片的承载装置。
本实用新型采用的技术方案是:新型硅片承载装置由一个底板、若干横截面为扇形的柱体及若干支柱构成。
一种新型硅片承载装置,其中所述底板为长方体或立方体结构,尺寸大于或等于硅片的尺寸。
一种新型硅片承载装置,其中所述横截面为扇形的柱体的方形面尺寸小于或等于底板的尺寸并相互拼接,该柱体可以为一个或多个互相平行的柱体组成。
一种新型硅片承载装置,其中所述支柱均匀分布于扇形面且与该点的切线垂直,可以单独拆卸安装,在侧面的同一条母线上有两根支柱即构成一个平面,即可盛放一片硅片。
本实用新型的有益效果是消除因丝网印刷第三道上料前取出的电池片盛放不当而引起的铝粉脱落、污染硅片及镀膜面,有效地提高电池片的优质率,降低漏电率,降低生产成本及提高生产效率,而且这种新型硅片承载装置便于清理维护。
附图说明
图1本实用新型硅片承载装置的正视图
图中:A代表底板;B代表横截面是扇形的柱体;C代表支柱。
图2本实用新型硅片承载装置的俯视图
图中D代表相邻两根支柱之间的圆弧的投影。
图3本实用新型硅片承载装置的侧视图
图中E为相邻两根支柱间的距离;F为支柱的直径;G为横截面为扇形的柱体的高度。
具体实施方式
下面结合附图1、图2、图3对本实用新型的技术方案进行详细说明。
1、本实施方案中的硅片承载装置是由一个底板、两个横截面为扇形的柱体及52根支柱构成。在该设计方案中,附图1,图2,图3中的虚线均变为实线。
2、本实施方案中的底板的长宽高尺寸分别是16.5±0.2cm,16.5±0.2cm,8±0.2cm。
3、本实施方案中的横截面为扇形的柱体,扇形的半径为9±0.2cm,采用特氟龙材料制作。
4、本实施方案中的横截面为扇形的柱体,柱体的侧面等间距的分成25份。
5、本实施方案中共设置52根支柱,每两根支柱在同一条母线上,相邻两根支柱之间的圆弧长度为0.42±0.02cm,在同一条母线上的两根支柱之间的距离为9±0.5cm,支柱的高度为13.5±0.5cm,并且这些支柱可以拆卸安装。
经试验测试,用新型硅片承载装置存放丝网印刷第三道上料前取出的电池片,存放的电池片再次印刷漏电率降低85%,降低生产成本及提高生产效率。现场工作环境整洁清爽,提高了工作效率。
最后说明的是,以上实施例仅用于说明本实用新型的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本实用新型技术方案的精神和范围,其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江鸿禧光伏科技股份有限公司,未经浙江鸿禧光伏科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220279670.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造