[实用新型]一种集成高精度实时时钟的电能表有效
申请号: | 201220284814.9 | 申请日: | 2012-06-18 |
公开(公告)号: | CN202676805U | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 王占元;张俊哲;雷玉霞;宋延林 | 申请(专利权)人: | 沈阳时尚实业有限公司 |
主分类号: | G01R22/00 | 分类号: | G01R22/00 |
代理公司: | 沈阳技联专利代理有限公司 21205 | 代理人: | 张志刚 |
地址: | 110179 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成 高精度 实时 时钟 电能表 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种电能表,特别是涉及一种集成高精度实时时钟的电能表。
背景技术
在电力系统中,电能表的时钟非常重要,如果时钟走动不准确,首先给供电部门或者是用户造成的是极大的经济损失,对于分时计价的用户更是如此,同时,时钟不准确,如果是用户恶意窜改,又将成为复杂的窃电问题。如何保证电能表时钟精准度是智能电能表研发领域的重要课题。
目前国内广泛使用的智能电能表均带有实时时钟功能,现有技术是使用一个微处理芯片外加一颗专用实时时钟芯片,电能表通过I2C总线从专用实时时钟芯片读取当前日期和时间。专用实时时钟芯片内部具有温度补偿功能,自动根据外部温度调节时钟误差。虽然该方法具有设计简单,时钟精度高的优点,但也存在明显的缺陷:使用专用实时时钟芯片,提高产品的整体成本;实时时钟芯片及其外围电路,增了线路板设计的复杂度,同时增加了线路板的面积,从而增加产品的整合成本;专用实时时钟通常具有14个以上的引脚,连同外围器件总计多大30个焊点以上,增加了生产成本;外围电路复杂,不利于维修,增加了维修成本;专用实时时钟芯片需要独立电源供电,增加电能表的功耗。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种集成高精度实时时钟的电能表,该电能表在MCU内部建立温度补偿表,不需要外部总线操作,算法简单,读写速度快,对温度的补偿更加快速,提高实时时钟精度且只对MCU维持供电,因此更加节能环保。
本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的:
一种集成高精度实时时钟的电能表,包括有微处理器芯片、内部实时时钟、逐次比较型A/D转换器、温度传感器;其MCU内部设有温度传感器,G1为晶体振荡器,频率为32.768KHz,G1与MCU的15及16引脚相连接;C12和C13为晶体振荡器的谐振电容,连接与G1与地之间;C14和C15为MCU的滤波电容,连接于MCU的第14引脚与地之间;微处理器芯片具有智能卡接口、I2C、SPI、UART接口;计量芯片通过SPI总线与MCU连接,IC卡接口电路和安全认证电路通过智能卡接口与MCU直接连接,该智能卡接口符合ISO7816标准,直接与ESAM和IC卡相通;存储电路和显示电路通过I2C总线与MCU连接;通信电路通过UART与MCU直接连接,按键电路通过MCU的IO引脚连接。
所述的一种集成高精度实时时钟的电能表,其所述温度传感器内置逐次比较型12位A/D转换器。
所述的一种集成高精度实时时钟的电能表,其所述MCU外接有晶体振荡器。
本实用新型的优点与效果是:
(1)MCU内部集成实时时钟、温度检测功能,降低产品成本;
(2)外围电路简单,节约线路板面积,降低了生产成本和加工成本,维修简单;
(3)通过软件算法对MCU内部时钟温度补偿,对每一电能表逐一校准,实时时钟精度高,在-45℃~+75℃范围内,时钟误差小于0.1秒/天,远高于国家电网要求1秒/天;
(4)在MCU内部建立温度补偿表,MCU从RAM读取数据,并将数据写入内部寄存器,不需要外部总线操作,算法简单,读写速度快,对温度的补偿更加快速,提高实时时钟精度;
(5)只对MCU维持供电,电能表功耗低,更加节能环保。
附图说明
图1是本实用新型硬件结构框图;
图2是本实用新型电路原理图;
图3是晶振频率随温度变化的误差曲线。
具体实施方式
下面结合附图所示实施例对本实用新型进行详细说明。
本实用新型的高精度实时时钟相关部分的硬件电路如图2所示。图中MCU为微处理器芯片,具有内部实时时钟、逐次比较型A/D转换器、温度检测温度传感器;G1为晶体振荡器,频率为32.768KHz,G1与MCU的15及16引脚相连接,为MCU提供低速晶体振荡频率,MCU依据G1的振荡频率计算日期及时间;C12和C13为晶体振荡器的谐振电容,连接与G1与地之间;C14和C15为MCU的滤波电容,连接于MCU的第14引脚与地之间。
实时时钟补偿方法如下:
MCU内部带有温度传感器,通过内置逐次比较型12位A/D转换器检测当前环境温度传感器的电压值,并通过软件计算得到当前环境温度,计算温度的精度为±1℃。
实时时钟的精度只与32.768KHz晶体振荡器相关,晶体振荡器的频率温度特性曲线是以T.P为顶点的二次方程曲线,如图3所示,频率温度特性的近似公式如下:
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