[实用新型]一种立式炉装片载具有效
申请号: | 201220287896.2 | 申请日: | 2012-06-18 |
公开(公告)号: | CN202678299U | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 钱敏;刘立成;刘波 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 立式 炉装片载具 | ||
技术领域
本实用新型涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种立式炉(立式氧化炉)装片载具。
背景技术
立式炉原厂设计为通过机械手自动传送硅片至载具,将硅片水平放置在载具的槽里,在进行工艺处理后再自动将硅片取出。而对于某些特殊工艺的硅片,由于硅片减薄至一定厚度,硅片水平放置在载具上会出现下垂现象,机械手取出硅片时与硅片水平间隙很小甚至平行,继而在传送过程中易发生撞片现象。使得减薄硅片无法在立式炉进行传送,甚至造成立式炉停产;并且,立式炉原厂设计的自动传送载具无法通过手动方式取出/放入立式炉中,造成生产中的不便。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种立式炉装片载具使装片载具能手动取出/放入立式炉,能杜绝现有立式炉自动传送载具在减薄硅片过程中发生的撞片现象。
为解决上述技术问题,本实用新型的立式炉手动装片载具,包括环形上盖、环形底板、四根垂直立柱,所述垂直立柱的顶端连接环形上盖,底端连接环形底板,所述垂直立柱内侧设有硅片槽,第一垂直立柱、第三垂直立柱相对于载具中心对称设置,第二垂直立柱、第四垂直立柱相对于载具中心对称设置;其中,所述第一垂直立柱与载具中心的连线与第三垂直立柱与载具中心连线之间的夹角为180°~190°第二垂直立柱与载具中心的连线与第四垂直立柱与载具中心连线之间的夹角为30°~150°。
所述环形上盖上具有二手柄。
所述载具由石英制造。
所述载具高度是200mm~450mm。
所述第二垂直立柱、第四垂直立柱的直径大于第一垂直立柱、第三垂直立柱的直径。
所述第一垂直立柱和第二垂直立柱之间具有加强肋,第三垂直立柱和第四垂直立柱之间具有加强肋。
本实用新型通过手动装片的方式在载具水平放置在载台时将硅片垂直装入的载具,在硅片放置完成后,通过手持把手提起载具至竖直状态;放入设备,进行工艺处理;处理完成后,提起把手将载具竖直从设备中取出,而后在载具水平状态下将硅片手动取出。本实用新型的立式炉手动装片载具使装片载具能手动取出/放入立式炉,能杜绝现有立式炉自动传送载具在减薄硅片过程中发生的撞片现象。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明:
图1是本实用新型第一实施例的侧视图,其显示单批次型载具(25硅片以内)。
图2是图1另一角度的侧视图。
图3是沿图1中线段A-A的剖视图。
图4是本实用新型第二实施例的侧视图,其显示多批次型载具(25硅片以上)。
图5是图3另一角度的侧视图。
附图标记说明
1是第一垂直立柱
2是第二垂直立柱
3是第三垂直立柱
4是第四垂直立柱
5是环形上盖
6是环形底板
7是手柄
8是硅片槽
9是加强肋
A-A是线段。
具体实施方式
如图1、图2所示,本实用新型第一实施例提供一种单批次型立式炉手动装片载具(25硅片以内),包括:环形上盖5、环形底板6、四根垂直立柱,所述垂直立柱的顶端连接环形上盖5,底端连接环形底板6,所述垂直立柱内侧设有硅片槽9,第一垂直立柱1、第三垂直立柱3相对于载具中心对称设置,第二垂直立柱2、第四垂直立柱4相对于载具中心对称设置;其中,所述第一垂直立柱1与载具中心的连线与第三垂直立柱3与载具中心连线之间的夹角为180°~190°,第二垂直立柱2与载具中心的连线与第四垂直立柱4与载具中心连线之间的夹角为30°~150°;环形上盖5上具有二手柄7;本载具由石英制造;单批次型立式炉手动装片载具高度是200mm;第二垂直立柱2、第四垂直立柱4的直径大于第一垂直立柱1、第三垂直立柱3的直径。
如图3所示,第一垂直立柱1与载具中心的连线与第三垂直立柱3与载具中心连线之间的夹角为180°,第二垂直立柱2与载具中心的连线与第四垂直立柱4与载具中心连线之间的夹角为90°,此角度配置最佳但不以此角度配置为限。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造