[实用新型]一种MEMS可重构微波定向耦合器

权利要求书

1.一种MEMS可重构微波定向耦合器，其特征在于，包括基片（1）、接地平面（2）、输入端口（10）、输出端口（11）、隔离端口（12）、耦合端口（13）、平行耦合微带线（20，21）、附加不对称耦合线（30，31）、四个MEMS开关（41，42，43，44）、四个MEMS开关下电极（51，52，53，54）、四个MEMS开关偏置电压输入端口（61，62，63，64）、金属浮片（7）、加载介质层（8）和四个阻抗调配段（91，92，93，94）；

所述第一平行耦合微带线（20）、第一附加不对称耦合线（30）、第二附加不对称耦合线（31）与第二平行耦合微带线（21）依次等距离平行设置在所述基片（1）上；所述第一平行耦合微带线（20）、第一附加不对称耦合线（30）、第二附加不对称耦合线（31）与第二平行耦合微带线（21）的上方覆盖有所述加载介质层（8），所述加载介质层（8）的上方设置有金属浮片（7）；

所述输入端口（10）通过所述第一阻抗调配段（91）与所述第一平行耦合微带线（20）的左端连接；

所述输出端口（11）通过所述第二阻抗调配段（92）与所述第一平行耦合微带线（20）的右端连接；

所述隔离端口（12）通过所述第三阻抗调配段（93）与所述第二平行耦合微带线（21）的左端连接；

所述耦合端口（13）通过所述第四阻抗调配段（94）与所述第二平行耦合微带线（21）的右端连接；

所述第一MEMS开关（41）连接所述第一平行耦合微带线（20）的左端与所述第一附加不对称耦合线（30）的左端；

所述第二MEMS开关（42）连接所述第一平行耦合微带线（20）的右端与所述第一附加不对称耦合线（30）的右端；

所述第三MEMS开关（43）连接所述第二平行耦合微带线（21）的左端与所述第二附加不对称耦合线（31）的左端；

所述第一MEMS开关（44）连接所述第二平行耦合微带线（21）的右端与所述第二附加不对称耦合线（31）的右端；

所述四个MEMS开关（41，42，43，44）分别通过所述MEMS开关下电极（51，52，53，54）与所述MEMS开关偏置电压输入端口（61，62，63，64）连接；

所述接地平面（2）设置在所述基片（1）的下表面。

2.根据权利要求1所述的MEMS可重构微波定向耦合器，其特征在于，所述输入端口（10）、输出端口（11）、隔离端口（12）、耦合端口（13）的长度为4.0mm至5.00mm，宽度为2.9mm至3.10mm。

3.根据权利要求1所述的MEMS可重构微波定向耦合器，其特征在于，所述平行耦合微带线（20，21）与附加不对称耦合线（30，31）的长度为8mm至10mm；所述平行耦合微带线（20，21）的宽度为0.7mm至0.8mm；所述第一附加不对称耦合线（30）的宽度为0.4mm至0.5mm；所述第二附加不对称耦合线（31）的宽度为0.1mm至0.15mm。

4.根据权利要求1所述的MEMS可重构微波定向耦合器，其特征在于，所述第一平行耦合微带线（20）、第一附加不对称耦合线（30）、第二附加不对称耦合线（31）与第二平行耦合微带线（21）之间的距离均为0.1mm。

5.根据权利要求1所述的MEMS可重构微波定向耦合器，其特征在于，所述加载介质板（8）的厚度为130μm 至500μm，介电常数为3.4至10.2，长度为6mm至8mm，宽度为2mm至3.2mm。

6.根据权利要求1所述的MEMS可重构微波定向耦合器，其特征在于，所述基片（1）的介电常数为3.4至10.2；所述基片（1）的厚度为1.4mm至1.6mm。

7.根据权利要求1所述的MEMS可重构微波定向耦合器，其特征在于，所述加载介质板（8）与基片（1）为蓝宝石、高阻硅、多孔硅、红宝石或高频陶瓷。

8.根据权利要求1所述的MEMS可重构微波定向耦合器，其特征在于，所述MEMS开关（41，42，43，44）采用悬臂梁式结构。

9.根据权利要求1所述的MEMS可重构微波定向耦合器，其特征在于，输入端口（10）、输出端口（11）、隔离端口（12）、耦合端口（13）、平行耦合微带线（20，21）、附加不对称耦合线（30，31）、四个MEMS开关（41，42，43，44）、四个MEMS开关下电极（51，52，53，54）、四个MEMS开关偏置电压输入端口（61，62，63，64）、金属浮片（7）以及四个阻抗调配段（91，92，93，94）的材料为高导电率金属材料；所述高导电率金属材料为金或铜。