[实用新型]平板型X射线图像传感器有效
申请号: | 201220290613.X | 申请日: | 2012-06-19 |
公开(公告)号: | CN202633313U | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 胡世文 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平板 射线 图像传感器 | ||
技术领域
本实用新型涉及图像显示技术领域,特别涉及一种平板型X射线图像传感器。
背景技术
平板型X射线图像传感器是一种将X光按光强转化为电信号的装置。X光照射物体并且穿透物体后,通过吸收、散射、发射而使光强发生变化,不同区域的不同光强,表示了被照射物体不同区域的内部结构的差异。穿透被照射物体的X光通过平板型X射线图像传感器转化为相应的电信号,最终实现一个与被照射物体内部结构直接相关的灰阶图像。所以平板型X射线图像传感器实现了物体的无损内部成像,是实现无损检测的最佳方法之一,在医疗成像,工业无损探测等领域都得到了广泛的应用和长足的发展。
平板型X射线图像传感器是一个大面积的像素阵列,像素的大小和多少反映了最后图像的分辨率和面积。请参考图1,其为平板型X射线图像传感器中一个像素的结构示意图。如图1所示,平板型X射线图像传感器中每个像素都包括一个光电二极管(PIN Photo-Diode)12及与所述光电二极管12耦接、用以控制电信号的读取的薄膜晶体管(TFT)11。具体的,当X射线照射到闪烁层13(Scintillator,例如碘化铯,用以将X射线转换成可见光)上,X射线被转换为可见光,光电二极管12在可见光的照射下产生光电子,在光电二极管偏置电压Vcom(公共电极)15的作用下,电子存储到光电二极管底电极14上,接着由扫描时序电路(图1中未示出)驱动TFT 10逐行打开,光电二极管12产生的光电子被读出电路(图1中未示出)收集并转换为数字信号。
现有的平板型X射线图像传感器中,给光电二极管提供偏置电压的Vcom(公共电极)包括外围的Vcom总线及显示区内的Vcom线,其中,外围的Vcom总线围绕像素阵列成环形形状,位于不同层(layer)的信号线(一般为数据信号线)不可避免的与环形形状的Vcom总线(Vcom环形回路,以下简称Vcom ring)相交叠。由于工艺设备接触、电路贴合(IC/FPC bonding)、性能测试等手动操作过程中会引入静电,通常在数据信号线与Vcom ring交叠处释放而产生静电放电(Electron Static Discharge,ESD)击穿,导致数据信号线与Vcom ring短路,使产品出现坏线而成为废品。此类缺陷现有的修复方式是激光隔离Vcom ring与数据信号线的短路区域,但是这样修复后Vcom ring被断开,破坏了Vcom环路电压的一致性,使得平板型X射线图像传感器性能下降。
请参考图2,其为现有的平板型X射线图像传感器中Vcom ring修复状态示意图。如图2所示,所述平板型X射线图像传感器包括光电二极管10、与所述光电二极管10耦接的TFT 9、用以读取信号的数据信号线1及与所述信号线1相交叠的Vcom ring(在此,所述Vcom ring包括Vcom ring底层线2及Vcom ring顶层线3),当然,还包括与所述Vcom ring连接的、位于显示区内的Vcom线5,所述Vcom ring底层线2与数据信号线1的交叠处具有有源层4。当由于静电放电击穿使得所述Vcom ring底层线2与数据信号线1连通时,就需要执行激光隔离Vcom ring的短路区域。例如,数据信号线A与Vcom ring底层线2具有击穿区域6,数据信号线C与Vcom ring底层线2具有击穿区域7,则进行激光修复时,需要将Vcom ring底层线2及Vcom ring顶层线3与数据线信号的短路区域予以隔离。具体的,在所述数据信号线A两侧执行激光切割8,在所述数据信号线C两侧执行激光切割8,此时即可把击穿区域6及击穿区域7予以隔离。但,这样的修复同时带来了一个问题,即数据信号线A与数据信号线C之间的Vcom ring底层线2及Vcom ring顶层线3被断开了,从而使得与该部分Vcom ring连接的Vcom线5处于浮空状态,即无法为光电二极管提供有效的偏置电压,从而降低了平板型X射线图像传感器的性能。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种平板型X射线图像传感器,以解决现有技术中Vcom ring(Vcom环形回路)修复后出现浮空状态,从而无法为光电二极管提供有效的偏置电压,降低了平板型X射线图像传感器的性能的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种平板型X射线图像传感器,所述平板型X射线图像传感器包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的