[实用新型]具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器及线性薄膜磁阻传感器电路

权利要求书

1.一种具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器，其特征是，包括：

   衬底；

   磁阻传感器本体，位于衬底上，具有方向上相互垂直的第一磁矩与第二磁矩；

   聚磁层，位于衬底上方，与磁阻传感器本体绝缘隔离，并将待测量外磁场放大后作用于磁阻传感器本体上。

2.根据权利要求1所述的具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器，其特征是：所述衬底上方设有电流导线，所述电流导线与聚磁层及磁阻传感器本体绝缘隔离，聚磁层能将电流导线产生的感应磁场放大后作用于磁阻传感器本体上。

3.根据权利要求1所述的具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器，其特征是，所述磁阻传感器本体包括：

种子层；

反铁磁钉扎层，位于种子层上；

磁性被钉扎层，位于反铁磁钉扎层，与反铁磁钉扎层配合产生的交换耦合场具有第一磁矩；

非磁性隔离层，位于磁性被钉扎层上，将磁性被钉扎层与磁性自由层隔离；

磁性自由层，位于非磁性隔离层上，具有第二磁矩，所述第二磁矩的方向与第一磁矩的方向相互垂直。

4.根据权利要求1所述的具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器，其特征是：所述聚磁层的材料包括NiFe、CoZrNb或CoZrHf。

5.根据权利要求2所述的具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器，其特征是：所述电流导线位于聚磁层的上方、下方位置中的一种或两种。

6.根据权利要求2所述的具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器，其特征是：所述电流导线包括长直导线、U型导线、一层导线、多层导线、一圈导线或多圈导线。

7.一种利用权利要求1所述具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器电路，其特征是：包括第一线性薄膜磁阻传感器及第二线性薄膜磁阻传感器，所述第一线性薄膜磁阻传感器、第二线性薄膜磁阻传感器形成半桥电路；第一线性薄膜磁阻传感器内参考层的第一磁矩方向与第二线性薄膜磁阻传感器内参考帧的第一磁矩方向反平行；第一线性薄膜磁阻传感器内磁性自由层的第二磁矩反向与第二线性薄膜磁阻传感器内磁性自由层的第二磁矩方向相互平行。

8.根据权利要求7所述的线性薄膜磁阻传感器电路，其特征是：还包括第三线性薄膜磁阻传感器及第四线性薄膜磁阻传感器，所述第一线性薄膜磁阻传感器、第二线性薄膜磁阻传感器、第三线性薄膜磁阻传感器及第四线性薄膜磁阻传感器形成惠斯通电桥，其中，所述第一线性薄膜磁阻传感器、第二线性薄膜磁阻传感器、第三线性薄膜磁阻传感器及第四线性薄膜磁阻传感器分别形成上述惠斯通电桥的桥臂，第一线性薄膜磁阻传感器与第四线性薄膜磁阻传感器位于惠斯通电桥的两个相对应的桥臂上，第二线性薄膜磁阻传感器与第三线性薄膜磁阻传感器位于惠斯通电桥的两个相对应的桥臂上，第一线性薄膜磁阻传感器所在的惠斯通电桥的桥臂与第二线性薄膜磁阻传感器及第三线性薄膜磁阻传感器所在的惠斯通电桥的桥臂邻接；

第一线性薄膜磁阻传感器、第二线性薄膜磁阻传感器、第三线性薄膜磁阻传感器及第四线性薄膜磁阻传感器内对应的第二磁矩方向相互平行；第一线性薄膜磁阻传感器、第二线性薄膜磁阻传感器、第三线性薄膜磁阻传感器及第四线性薄膜磁阻传感器内对应的第一磁矩方向相互平行。