[实用新型]太阳能电池片离子注入专用盘有效
申请号: | 201220293448.3 | 申请日: | 2012-06-21 |
公开(公告)号: | CN202758855U | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 陈炯;陈维;孙青 | 申请(专利权)人: | 无锡凯世通科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 江苏英特东华律师事务所 32229 | 代理人: | 邵鋆 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 离子 注入 专用 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其是涉及一种太阳能电池片离子注入专用盘。
背景技术
离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备,离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术,其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制,克服了常规工艺的限制,提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命,降低了成本和功耗。离子注入机广泛用于掺杂工艺,可以满足浅结、低温和精确控制等要求,已成为集成电路制造工艺中必不可少的关键装备。现有的用于IC和分立器件制造的离子注入机所能加工的硅片及工艺特征为:1硅片形状为圆形;2硅片常规厚度为500um以上,不易碎;3硅片外周边缘3-5mm预留为硅片的夹持区域用于硅片加工中的运送和固定,接收不到离子注入。而太阳能电池片的规格和工艺特征为:1 正方形,四角有倒角;2厚度通常为200um左右,容易受到外力夹持破碎;3硅片外边缘小于1mm区域可不接受离子注入。但旧有的大盘只能加工圆形硅片,且夹持力度大,薄片易碎,夹持区域远大于1mm,不能满足于太阳能电池片的工艺需求,完全不适合电池片的离子注入。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种太阳能电池片离子注入专用盘,从而在旧有设备上顺利完成太阳能电池片的离子注入。
为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是:太阳能电池片离子注入专用盘,包括与太阳能电池片形状相对应的方形区域槽,所述方形区域槽的其中两个相对的槽边均设有太阳能电池片镶嵌部,所述方形区域槽的内侧的槽边设有太阳能电池片限位部。
优选的,所述太阳能电池片镶嵌部沿所述方形区域槽的槽边延伸且所述太阳能电池片镶嵌部的宽度小于1mm。
优选的,所述太阳能电池片限位部包括设置于所述方形区域槽内侧且沿所述内侧槽边延伸的沟槽,所述沟槽内设有通过紧固件固定的限位带。
优选的,所述限位带为聚四氟乙烯带。
采用了上述技术方案,本实用新型的有益效果为:由于采用了上述的太阳能电池片离子注入专用盘,通过改进的太阳能电池片离子注入专用盘,获得了旧有大盘同样的易操作性,轻松实现电池片的装载卸载,且可靠地完成离子注入,也开拓了旧有离子注入机的应用领域,使得旧有离子注入机能服务于电池片的制造和开发。
由于所述太阳能电池片镶嵌部沿所述方形区域槽的槽边延伸且所述太阳能电池片镶嵌部的宽度小于1mm,满足了太阳能电池片的工艺需求,这样就避免造成太阳能电池片的应力破碎。
由于所述太阳能电池片限位部包括设置于所述方形区域槽外侧且沿所述外侧槽边延伸的沟槽,所述沟槽内设有通过紧固件固定的限位带,手动使限位带凹进沟槽时,电池片从内测方向滑进沟槽,然后手动使限位带拱起,这样在太阳能电池片镶嵌部和限位带的遮挡下,电池片就嵌在了方形区域槽内。
附图说明
图1是本实用新型实施例的结构示意图;
其中:1、方形区域槽;2、太阳能电池片镶嵌部; 3、太阳能电池片限位部;4、内侧;31、沟槽;32、限位带。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
如图1所示,太阳能电池片离子注入专用盘,包括与太阳能电池片形状相对应的方形区域槽1,方形区域槽1的其中两个相对的槽边均设有太阳能电池片镶嵌部2,太阳能电池片镶嵌部2沿方形区域槽1的槽边延伸且太阳能电池片镶嵌部2的宽度小于1mm,满足了太阳能电池片的工艺需求,这样就避免造成太阳能电池片的应力破碎。本实施例中,电池片放入的方向为内侧,方形区域槽1的内侧4的槽边设有太阳能电池片限位部3,太阳能电池片限位部3包括设置于方形区域槽1内侧4且沿内侧4槽边延伸的沟槽31,沟槽31内设有通过紧固件固定的限位带32,手动使限位带32凹进沟槽31时,电池片从内测4方向滑进沟槽31,然后手动使限位带32拱起,这样在太阳能电池片镶嵌部2和限位带32的遮挡下,电池片就嵌在了方形区域槽1内。本实施例中,上述的限位带32优选使用聚四氟乙烯带。
通过改进的太阳能电池片离子注入专用盘,获得了旧有大盘同样的易操作性,轻松实现电池片的装载卸载,且可靠地完成离子注入,也开拓了旧有离子注入机的应用领域,使得旧有离子注入机能服务于电池片的制造和开发。
本实用新型不局限于上述具体的实施方式,本领域的普通技术人员从上述构思出发,不经过创造性的劳动,所作出的种种变换,均落在本实用新型的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造