[实用新型]NAND Flash芯片智能分析设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及数据恢复技术领域，特别是一种NAND Flash芯片智能分析设备。 

背景技术

闪存(FLASH)器件是基于半导体工艺制作的集成电路芯片，具有防磁、抗震、耐潮、体积小等优异性能。作为固态存储介质的大容量数码存储芯片，比照传统磁记录和光盘存储器，NAND FLASH器件具有无机械结构、可反复擦写、速度快、功耗低等显著优点，目前已经在移动存储领域(例如U盘，MP3播放器，数码存储卡，固态硬盘等等)和嵌入式应用系统中成为无可争议的主角。 

这些Flash存储芯片相关的产品都会涉及到Flash总线信号。Flash总线信号指的是：Flash存储芯片上所有控制和数据信号的集合。对于Flash存储芯片相关的产品所会涉及到总线信号分析问题。目前一般采用的方法是使用传统的测试工具，比如逻辑分析仪、示波器等。这些传统的测试工具，可以把Flash总线当作普通信号进行采样和分析，但是这样的采样和分析缺乏针对性，所以在分析Flash总线信号时需要通过以下两个步骤来实现：(1)Flash存储芯片总线信号采样；(2)Flash存储芯片总线信号分析。 

采用通用测试工具对Flash总线信号进行采样，不但信号采样十分不方便，而且由于存储深度的限制，所获取的信号量也是十分有限。信号分析过 程是将采样后的信号，通过比对Flash总线信号接口协议，将信号解释成Flash的命令、地址、数据等总线信息。这一过程由于缺乏专业工具的支持，一般需要人工完成。 

另外对于一些更高的要求，如Flash擦除的均衡性、Flash读写分布情况等，几乎无法实现。针对Flash存储芯片总线信号的分析，不但需要将Flash存储芯片总线信号提取出来，而且需要将这些信号解析成Flash的命令、地址、数据等总线信息直观的反映出来。随着Flash存储芯片应用领域的不断拓展，针对Flash存储芯片总线信号分析的需求也随之增加。对于采用通用信号测试工具实现Flash存储芯片总线信号分析，已经越来越无法满足这样的需求。 

实用新型内容

针对现有技术中存在的不足，本实用新型的目的是提供一种NAND Flash芯片智能分析设备。 

本实用新型的技术方案是： 

一种NAND Flash芯片智能分析设备，它由信号采样单元、信号分析单元、信号显示单元、信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元组成，所述信号采样单元、信号显示单元、信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元分别与信号分析单元相连，所述信号存储单元和Flash擦除均衡性分析单元分别与信号显示单元相连，所述信号分析单元由Flash接口协议模块和接口信号判定模块组成。 

作为优选技术方案，本实用新型的所述信号采样单元为采样探头，所述采样探头由接插件、导线、探针的一种或几种组成。 

作为优选技术方案，本实用新型的所述Flash接口协议模块为计算机的内存、 RAM、ROM、EPROM或Flash。 

作为优选技术方案，本实用新型的所述信号显示单元为计算机的显示器、LCD或LED。 

作为优选技术方案，本实用新型的所述信号存储单元为硬盘、U盘或存储卡。 

本实用新型的有益效果是： 

本实用新型相比使用传统测试工具，在分析Flash存储芯片总线信号方面，有了很大的进步和显著的优点。本实用新型搭建分析环境十分简便：只要将Flash总线信号分析工具的采样探头(如接插件、导线、探针等)直接和Flash总线信号相连即可。 

本实用新型的结构简单，操作简单、方便，成本低廉，易于推广使用。 

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。 

图2是本实用新型其信号分析单元的结构示意图。 

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。