[实用新型]一种激光器温度控制电路有效

专利信息
申请号: 201220298567.8 申请日: 2012-06-25
公开(公告)号: CN202677228U 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 李军;王勇 申请(专利权)人: 广东东研网络科技股份有限公司
主分类号: G05D23/20 分类号: G05D23/20;H01S5/026
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 515000 广东省汕头市高*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 激光器 温度 控制电路
【说明书】:

技术领域

实用新型属于通讯及相关电子设备技术领域,具体涉及一种在光通讯设备中广泛使用的激光器温度控制电路。

背景技术

目前,在高速率的光通讯设备中,广泛使用的激光器对工作环境的适应性要求越来越宽,因此,激光器对自身的温度稳定性的精密控制要求也越来越高。就激光器的温度控制电路来看,实现的方式有很多中,但都存在电路复杂、成本高的缺陷,有的还要用到大规模控制芯片等,可靠性也受一定的影响。

实用新型内容

本实用新型的目的在于针对上述现有技术的不足,提供一种激光器温度控制电路,利用音频功率放大器及设置的外围电路来达到对激光器温度控制的需求,不仅电路简单,而且成本低,具有很大的通用性。

为达到上述目的,本实用新型采取的技术方案是:提供一种激光器温度控制电路,包括激光器,其特征在于:还包括音频功率放大器;所述音频功率放大器的正极输入端与提供基准比较电压的电路连接;所述音频功率放大器的负极输入端与激光器的温度传感器连接;所述音频功率放大器的输出端与激光器的半导体制冷器连接;所述音频功率放大器的输出端与负极输入端之间设置有负反馈电路。

所述音频功率放大器与正、负电源连接。

所述提供基准比较电压的电路包括基准电压源、第一电阻和第二电阻;所述音频功率放大器的正极输入端通过第一电阻与基准电压源链接;所述第二电阻的一端与音频功率放大器的正极输入端连接,另一端接地。

所述音频功率放大器的负极输入端与激光器的温度传感器之间设置有第三电阻。

所述负反馈电路包括第四电阻和第一电容;所述第四电阻和第一电容串联在一起。

所述激光器还包括输出激光的半导体激光单元。

所述半导体制冷器和温度传感器都接地。

所述音频功率放大器的功率至少为半导体制冷器的额定功率的3倍。

所述音频功率放大器的功率为半导体制冷器的额定功率的3~5倍。

所述音频功率放大器的型号为LM1875或者TDA2030。

本实用新型提供的激光器温度控制电路利用音频功率放大器及设置的外围电路来达到对激光器温度控制的需求,不仅电路简单,而且成本低,具有很大的通用性。

附图说明

图1为激光器温度控制电路的原理框图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细的描述。

如图1所示,该激光器温度控制电路,包括激光器U2和音频功率放大器U1;音频功率放大器U1的正极输入端与提供基准比较电压的电路连接;音频功率放大器U1的负极输入端与激光器U2的温度传感器RT连接;音频功率放大器U1的输出端与激光器U2的半导体制冷器TEC连接;音频功率放大器U1的输出端与负极输入端之间设置有负反馈电路。音频功率放大器U1与正、负电源(+VSS、-VSS)连接。提供基准比较电压的电路包括基准电压源V0、第一电阻R1和第二电阻R2;音频功率放大器U1的正极输入端通过第一电阻R1与基准电压源V0链接;第二电阻R2的一端与音频功率放大器U1的正极输入端连接,另一端接地。音频功率放大器U1的负极输入端与激光器U2的温度传感器RT之间设置有第三电阻R3。负反馈电路包括第四电阻R4和第一电容C1;第四电阻R4和第一电容C1串联在一起。激光器U2还包括输出激光的半导体激光单元。半导体制冷器TEC和温度传感器RT都接地。

上述音频功率放大器U1的功率至少为半导体制冷器TEC的额定功率的3倍。优选地,音频功率放大器U1的功率为半导体制冷器TEC的额定功率的3~5倍。音频功率放大器U1的型号为LM1875、TDA2030或者具有相同功能的同类型集成电路。

半导体制冷器TEC提供完成温度升、降;温度传感器RT提供温度取样;音频功率放大器U1为普通的音频功率放大器集成电路,在这里设计为一种直流电压负反馈运算放大电路;第一电阻R1、第二电阻R2为该音频功率放大器U1提供一个基准比较电压,给整个激光器温度控制电路提供基准;负反馈电路提供音频功率放大器U1最大的电压增益;温度传感器RT的取样信号通过第三电阻R3加到音频功率放大器U1的负极输入端构成温度控制电路的取样输入回路;音频功率放大器U1的输出端接激光器U2内部的半导体制冷器TEC完成温度的控制。

但是以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,很容易对本实用新型进行若干改进和修饰,这些改进和修饰也落入本实用新型权利要求的保护范围内。

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