[实用新型]晶圆焊垫的化镀镍凸块结构

说明书

技术领域

本实用型新涉及一种晶圆焊垫的化镀镍凸块结构，特别涉及一种含有晶圆、多个触媒层、多个化镀镍凸块及多个外护层的晶圆焊垫的化镀镍凸块结构。

背景技术

在有关半导体芯片或晶圆的连结（如焊垫凸块）、封装（package）或其相关制造方法的技术领域中，目前已存在多种先前技术，如：中国台湾M397591、M352128、M412460、M412576、M410659，I306638、I320588、I255538、I459362、I253733、I273651、I288447、I295498、I241658、I259572、I472371、I242866、I269461、I329917、I282132、I328266、I284949；及美国实用型新专利US 8,030,767、US 7,981,725、US7,969,003、US 7,960,214、US7,847,414、US7,749,806、US7,651,886、U S7,538,020、US7,750,467、US7,364,944、US7,019,406、US 6,507,120、U S7,999,387、US7,993,967、US7,868,470、US7,868,449、US7,972,902、US7,960,825、US7,952,187、US7,944,043、US7,934,313、US 7,906,855等。而经过研究上述该些先前技术内容可知，该些专利几乎都属于在其技术领域中微小的改进。换言之，在有关半导体芯片或晶圆的连结、封装或其相关制备方法的技术领域中，其技术发展的空间已相当有限，因此在此技术发展空间有限的领域中（in the field of the crowded art），如能在技术上有微小的改进，亦得视为具有「进步性」，仍能核准专利。

本实用型新晶圆焊垫的化镀镍凸块结构，是在凸块结构及其制备方法的技术发展空间有限的领域中，提出一种具有简化制造过程及降低制作成本的功效，且进一步能有效改良并降低所成形的化镀镍凸块的硬度以满足后制程中接着程序的要求的实用型新。由于上述该些先前技术在形成该些凸块之前必须以凸块底层金属化（Under Bump Metallization，UBM）制程在该些焊垫上先形成一金属层，再以金属电镀或印刷银膏的方式在该些焊垫的金属层上形成该些凸块，因此，该些先前技术的制造过程不仅成本较高且制作困难度也较高，相对地造成制程较复杂化及产量降低，况且该些凸块需使用较多的贵金属材料。

另，以银胶形成的凸块而言，银胶凸块的硬度范围较大，也就是硬度可以由较软改变至较硬，可利用烘烤条件来调整；然，以化镀镍凸块而言，化镀镍凸块的硬度范围较小，也就是化镀镍凸块的表面硬度过大且无法利用烘烤条件来调整，因此不利于后制程的接着程序。

由上可知，该些先前技术的结构及制作方法难以符合实际使用时的需求，因此在晶圆焊垫的凸块结构及其制备方法的技术领域中，发展并设计一种制作过程简化、制作成本降低且凸块的表面硬度符合后制程的接着程序要求的凸块结构，确实有其需要性。

实用型新内容

本实用型新主要目的是提供一种晶圆焊垫的凸块结构，其在设有光阻的状态下，利用无电解镍方式以在该些晶圆焊垫的表面的触媒层的表面分别形成一具适当高度且以无电解镍构成的凸块，再利用选自化金制程、化银制程的族群中之一制作过程以分别在各凸块的上表面上形成一外护层，以使该外护层包含至少一保护层其选自浸金（IG）层（在镍上长一层金，一般称为化学电镀镍/金，electroless nickel/immersion gold,ENIG）、化银（ES）层的族群中的一种材料所构成，藉以改良并降低该化镀镍凸块的硬度，并达成制作过程简化及制作成本降低的效果。