[实用新型]无接触硅片测量装置有效
| 申请号： | 201220303356.9 | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN202599330U | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 陈才旷;肖宗杰;白德海;赵长存;罗世铤 | 申请（专利权）人： | 北京合能阳光新能源技术有限公司 |
| 主分类号： | G01B7/06 | 分类号： | G01B7/06;G01R27/02 |
| 代理公司： | 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 | 代理人： | 伊美年;张定花 |
| 地址： | 101113 北京市通州*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触 硅片 测量 装置 | ||
1.一种无接触硅片测量装置，包括检测平台，其特征在于：还包括设于所述检测平台上下两方的厚度测试模块、设于所述检测平台上下两方的电阻率测试模块以及分别与所述厚度测试模块和电阻率测试模块电连接的终端。
2.如权利要求1所述的无接触硅片测量装置，其特征在于：所述厚度测试模块包括设于检测平台上方的厚度测量上探头以及设于检测平台下方的厚度测量下探头，还包括分别与厚度测量上探头和厚度测量下探头电连接的厚度测量控制器；所述电阻率测试模块包括设于检测平台上方的电阻率测量上探头以及设于检测平台下方的电阻率测量下探头，还包括分别与电阻率测量上探头和电阻率测量下探头电连接的电阻率测量控制器。
3.如权利要求2所述的无接触硅片测量装置，其特征在于：所述厚度测量上探头和电阻率测量上探头并排设置在所述检测平台上方；所述厚度测量下探头和电阻率测量下探头并排设置在所述检测平台下方。
4.如权利要求2或3所述的无接触硅片测量装置，其特征在于：所述厚度测量上探头与所述厚度测量下探头位置上下对应；所述电阻率测量上探头与所述电阻率测量下探头位置上下对应。
5.如权利要求2所述的无接触硅片测量装置，其特征在于：所述厚度测试模块通过所述厚度测量控制器与所述终端电连接；所述电阻率测试模块通过所述电阻率测量控制器与所述终端电连接。
6.如权利要求2所述的无接触硅片测量装置，其特征在于：所述厚度测量上探头和厚度测量下探头为一对电容原理位移测量探头。
7.如权利要求2所述的无接触硅片测量装置，其特征在于：所述电阻率测量上探头和电阻率测量下探头为一对电涡流原理电阻率测量探头。
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