[实用新型]NAND Flash芯片的数据检测装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及数据闪存技术领域，特别是一种NAND Flash芯片的数据检测装置。

背景技术

闪存(FLASH)器件是基于半导体工艺制作的集成电路芯片，具有防磁、抗震、耐潮、体积小等优异性能。作为固态存储介质的大容量数码存储芯片，比照传统磁记录和光盘存储器，NAND FLASH器件具有无机械结构、可反复擦写、速度快、功耗低等显著优点，目前已经在移动存储领域(例如U盘，MP3播放器，数码存储卡，固态硬盘等等)和嵌入式应用系统中成为无可争议的主角。

FLASH存储芯片在生产切割或者封装后，FLASH生产厂家仅对其进行了简单的物理测试，如芯片管脚功能测试，物理特性测试。但是由于NANDFLASH本身存在的问题，即NANDFLASH在出厂时，可以有一定比例的坏块存在，但是由于某些应用终端中，需要烧写文件系统的区域不能有坏块，否则将使得文件系统烧写不成功，进而使得系统不能正常启动。所以，在NANDFLASH焊接之前需要检测需要烧写文件系统的区域是否存在坏块。

因此，亟需一种产品能够对FLASH存储芯片的性能(包括能否正常使用，容量的坏块(Block)比率等)做全面的测试。

实用新型内容

针对现有技术中存在的不足，本实用新型的目的是提供一种NAND Flash芯片的数据检测装置。

本实用新型的技术方案是：

一种NAND Flash芯片的数据检测装置，由待测NAND Flash芯片、NAND Flash芯片控制器、中央处理器、存储器和显示器组成，所述NAND Flash芯片控制器包括第一接口、第二接口、CPU、数据缓存单元、ROM和RAM，所述NAND Flash芯片控制器通过其第一接口与待测NAND Flash芯片连接，所述NAND Flash芯片控制器通过其第二接口与中央处理器连接。

作为优选技术方案，本实用新型所述中央处理器与存储器集成在一个集成电路中。

作为优选技术方案，本实用新型所述存储器为外置存储器。

作为优选技术方案，本实用新型所述存储器为硬盘、U盘或存储卡。

作为优选技术方案，本实用新型所述显示器为LCD或LED显示器。

本实用新型的有益效果是：本实用新型实现了对NAND Flash芯片内部逻辑性能和结构分布进行测试，并做坏块标记，并将标记的NAND Flash芯片的坏块通过显示器进行显示。

本实用新型的结构简单，设计合理，体积小，成本低，并且测试效率高，适合推广应用。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

请参阅图1，提出本实用新型的实施例1，本实施例是一种NAND Flash芯片的数据检测装置，由待测NAND Flash芯片、NAND Flash芯片控制器、中央处理器、存储器和显示器组成，所述NAND Flash芯片控制器包括第一接口、第二接口、CPU、数据缓存单元、ROM和RAM，所述NAND Flash芯片控制器通过其第一接口与待测NAND Flash芯片连接，所述NAND Flash芯片控制器通过其第二接口与中央处理器连接。

本实用新型所述中央处理器与存储器集成在一个集成电路中。或者，本实用新型所述存储器为外置存储器。进一步地，本实用新型所述存储器可选用硬盘、U盘或存储卡。

本实用新型所述显示器为LCD或LED显示器。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此而限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。