[实用新型]一种非移相变压器的变频器有效
| 申请号： | 201220313709.3 | 申请日： | 2012-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN202679256U | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 陈佳宝;张晶冰;黄小光;苏位峰;卫三民;翁海清;苟锐锋;李侠 | 申请（专利权）人： | 中国西电电气股份有限公司;北京西电华清科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M5/44 | 分类号： | H02M5/44;H02M5/10 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 田洲 |
| 地址： | 710075*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 相变 变频器 | ||
【权利要求书】：
1.一种非移相变压器的变频器，其特征在于，包括：至少两个非移相变压器和若干功率单元；其中，每个非移相变压器的每一相至少连接一个功率单元。
2.根据权利要求1所述的变频器，其特征在于，所述非移相变压器为采用油浸式冷却的非移相变压器。
3.根据权利要求1所述的变频器，其特征在于，所述功率单元为单相功率单元。
4.根据权利要求3所述的变频器，其特征在于，所述单向功率单元包括：单向可控整流电路、滤波电路、直流支撑电路和逆变电路。
5.根据权利要求4所述的变频器，其特征在于，所述单向可控整流电路由4个IGCT和用于高频的吸收电容组成。
6.根据权利要求4所述的变频器，其特征在于，所述滤波电路为LC串联谐振电路。
7.根据权利要求4所述的变频器，其特征在于，所述直流支撑电路为用于滤波的薄膜电容。
8.根据权利要求4所述的变频器，其特征在于，所述逆变电路由4个IGCT和用于高频的吸收电容组成。
9.根据权利要求1~8任一项所述的变频器，其特征在于，所述变频器为3kv~10kv的高压变频器。
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