[实用新型]半导体激光器芯片的散热结构有效

专利信息
申请号: 201220315564.0 申请日: 2012-06-29
公开(公告)号: CN202797603U 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 黄方 申请(专利权)人: 无锡中铂电子有限公司
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024
代理公司: 常州市维益专利事务所 32211 代理人: 何学成
地址: 214112 江苏省无锡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 半导体激光器 芯片 散热 结构
【权利要求书】:

1.半导体激光器芯片的散热结构,其特征在于:该散热结构包括下底座,在下底座的中部开设有凹槽,半导体激光器芯片放置于凹槽中,在凹槽的底部设置有散热管,所述散热管上设置有导热基板,所述半导体激光器芯片设置在导热基板的上端面,所述凹槽的内壁周围开设有插槽,插槽内插有散热片,在散热片插入插槽后,散热片与半导体激光器芯片的外壁接触,以及设置在下底座上对半导体激光器芯片上端面边缘进行压紧的压紧装置。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器芯片的散热结构,其特征在于:所述压紧装置包括均布在下底座上的多个压紧块,以及将压紧块固定在下底座上的螺钉,所述压紧块的压紧端压在半导体激光器芯片上端面边缘。

3.根据权利要求1或2所述的半导体激光器芯片的散热结构,其特征在于:所述散热管盘设在凹槽底部,散热管的一端为进口端,另一端为出口端,所述散热管的进口端、出口端分别穿过下底座露在下底座的外部。

4.根据权利要求1或2所述的半导体激光器芯片的散热结构,其特征在于:所述散热片为散热铝片。

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