[实用新型]一种超薄电磁炉有效
| 申请号： | 201220315992.3 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN202769737U | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 朱泽春;张伟;张龙 | 申请（专利权）人： | 九阳股份有限公司 |
| 主分类号： | F24C7/00 | 分类号： | F24C7/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 电磁炉 | ||
【权利要求书】：
1.一种超薄电磁炉，包括壳体和电路板，电路板上设有电器件，电器件包括高压滤波电容、谐振电容、直流电解电容、滤波电感、散热组件；其特征在于，电路板上设有避让口，高压滤波电容、谐振电容、直流电解电容、滤波电感和散热组件中任意一个或一个以上的电器件设置在避让口中。
2.根据权利要求1所述的电磁炉，其特征在于，避让口的边缘设有焊点，避让口中的电器件设有焊脚，焊脚与避让口边缘的焊点焊接。
3.根据权利要求1所述的电磁炉，其特征在于，设置在避让口中的电器件卧置在避让口中。
4.根据权利要求1所述的电磁炉，其特征在于，电路板上设有多个避让口，所述避让口中的电器件分别设置在不同避让口中。
5.根据权利要求1所述的电磁炉，其特征在于，散热组件包括相互贴合的大功率半导体器件和散热片。
6.根据权利要求5所述的电磁炉，其特征在于，大功率半导体器件设置在避让口中，散热片的一面贴合在大功率半导体器件上，散热片的另一面均匀设有散热翅片。
7.根据权利要求5所述的电磁炉，其特征在于，大功率半导体器件包括IGBT和/或整流桥。
8.根据权利要求1至5中任意一项所述的电磁炉，其特征在于，避让口为电路板内部的通孔。
9.根据权利要求1至5中任意一项所述的电磁炉，其特征在于，避让口为电路板边缘的缺口。
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